[发明专利]在含硅层基材表面上形成石墨烯层的方法

权利要求书

1.一种用于在含硅层(101)的基材(100)表面上形成石墨烯层(105)的方法，所述方法依次包括以下步骤：

-在所述硅层的自由表面上形成碳化硅膜(103)；以及

-逐步加热该基材，直到至少该碳化硅膜的第一原子晶格阵列中的硅升华，从而在所述碳化硅膜上形成石墨烯层。

所述方法的特征在于，使用了具有阶梯式自由表面的硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阶梯式表面包括被梯级竖板(104)分隔的梯面(102)，该梯级竖板(104)具有基本上相同的梯级高度(h)，而所述梯面具有基本上相同的梯面宽度(g)。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阶梯式自由表面包括被梯级竖板(104)分隔的梯面(102)，该梯级竖板(104)基本上垂直于两相邻的梯面延伸。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阶梯式自由表面包括被梯级竖板(104)分隔的梯面(102)，各个梯面基本上平行于放置基材的固定器(S)延伸。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阶梯式自由表面包括被梯级竖板(104)分隔的梯面(102)，该梯级竖板(104)的梯级高度(h)在2埃和3埃之间，且梯面(102)的梯面宽度(g)在35埃和40埃之间。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在受控惰性气体流下加热所述基材(100)。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述惰性气体是氮气。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括在加热基材直到至少所述碳化硅膜(103)的第一原子晶格阵列升华之前，在受控气态硅流下预热基材(100)的在先步骤。