[发明专利]石墨烯及蓄电装置、及它们的制造方法在审
| 申请号： | 201280047563.5 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103858259A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 等等力弘笃;斋藤祐美子;川上贵洋;野元邦治;汤川干央 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;C01B31/02;H01M4/139;H01M6/16;H01M10/0566;H01G11/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张欣 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 石墨烯的形成方法包括如下步骤：在第一导电层上形成含有氧化石墨烯的层；在其中浸渍了作为工作电极的第一导电层及作为对电极的第二导电层的电解液中，对第一导电层提供使氧化石墨烯在此发生还原反应的电位。包括至少正电极、负电极、电解液、及隔离体的蓄电装置的制造方法，包括形成通过上述形成方法形成的正电极和负电极中的一个或两个的活性材料层的石墨烯的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 装置 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电极材料的形成方法，包括：在第一导电层上形成包括氧化石墨烯的层；在形成所述层后将所述第一导电层和第二导电层浸渍于电解液中；以及电化学还原位于所述第一导电层上的所述层中的所述氧化石墨烯的至少一部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201280047563.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
