[发明专利]石墨烯及蓄电装置、及它们的制造方法

权利要求书

1.一种电极材料的形成方法，包括：

在第一导电层上形成包括氧化石墨烯的层；

在形成所述层后将所述第一导电层和第二导电层浸渍于电解液中；以及

电化学还原位于所述第一导电层上的所述层中的所述氧化石墨烯的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的电极材料的形成方法，其中所述电解液是非质子有机溶剂。

3.根据权利要求1所述的电极材料的形成方法，其中其上形成有所述层的所述第一导电层是工作电极，并且

所述第二导电层是对电极。

4.根据权利要求1所述的电极材料的形成方法，其中参照锂的氧化还原电位，在设定为1.6V以上且2.4V以下的电位下执行所述还原。

5.根据权利要求4所述的电极材料的形成方法，其中在包括所述电位的电位范围内扫描所述电位。

6.根据权利要求5所述的电极材料的形成方法，其中周期性地执行所述扫描。

7.根据权利要求5所述的电极材料的形成方法，其中参照锂的氧化还原电位，所述电位范围被设置为1.6V以上且2.4V以下。

8.根据权利要求5所述的电极材料的形成方法，其中将所述扫描的扫描速度被设置为0.005mV/s以上且1mV/s以下。

9.根据权利要求1所述的电极材料的形成方法，其中所述氧化石墨烯包括通过羰基和羟基中的至少一个与氨、胺、或碱金属发生反应的方式而形成的取代基。

10.根据权利要求1所述的电极材料的形成方法，

其中所述还原的氧化石墨烯包括：

由X射线光电子光谱法测量的比例为80%以上且90%以下的碳原子；以及

由X射线光电子光谱法测量的比例为10%以上且20%以下的氧原子，

其中所述碳原子的sp²键的碳原子的比例为50%以上且80%以下。

11.一种电极的制造方法，包括：

在集电器上形成包括至少活性材料及氧化石墨烯的活性材料层；以及

电化学还原位于所述集电器上的所述活性材料层中的所述氧化石墨烯的至少一部分。

12.根据权利要求11所述的电极的制造方法，其中所述还原在非质子有机溶剂中执行。

13.根据权利要求11所述的电极的制造方法，其中参照锂的氧化还原电位，所述还原在设置为1.6V以上且2.4V以下的电位下执行。

14.根据权利要求13所述的电极的制造方法，其中在包括所述电位的电位范围内扫描所述电位。

15.根据权利要求14所述的电极的制造方法，其中周期性地执行所述扫描。

16.根据权利要求14所述的电极的制造方法，其中参照锂的氧化还原电位，所述电位范围被设置为1.6V以上且2.4V以下。

17.根据权利要求14所述的电极的制造方法，其中将所述扫描的扫描速度设置为0.005mV/s以上且1mV/s以下。

18.根据权利要求11所述的电极的制造方法，其中所述氧化石墨烯包括通过羰基和羟基中的至少一个与氨、胺、或碱金属发生反应的方式而形成的取代基。

19.根据权利要求11所述的电极的制造方法，

其中所述还原的氧化石墨烯包括：

由X射线光电子光谱法测量的比例为80%以上且90%以下的碳原子；以及

由X射线光电子光谱法测量的比例为10%以上且20%以下的氧原子，

并且所述碳原子的sp²键的碳原子的比例为50%以上且80%以下。

20.一种蓄电装置的制造方法，包括：

形成根据权利要求11所述的电极作为正电极和负电极中的至少一个。

21.一种材料，包括：

由X射线光电子光谱法测量的比例为80%以上且90%以下的碳原子；以及

由X射线光电子光谱法测量的比例为10%以上且20%以下的氧原子，

其中，所述碳原子的sp²键的碳原子的比例为50%以上且80%以下。