[发明专利]堆积物去除方法有效
| 申请号： | 201280047417.2 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103828029A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 田原慈;西村荣一;松本孝典 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/304;H01L21/3213;H01L21/76;H01L21/768;H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其中，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在第1处理工序之后，加热基板并使基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在氧等离子体处理工序之后，将基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。 | ||
| 搜索关键词： | 堆积物 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种堆积物去除方法，其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法，其特征在于，该堆积物去除方法包括以下工序：第1处理工序，将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中；氧等离子体处理工序，在上述第1处理工序之后，加热上述基板并使上述基板暴露在氧等离子体中；以及第2处理工序，在上述氧等离子体处理工序之后，将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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