[发明专利]堆积物去除方法有效
申请号: | 201280047417.2 | 申请日: | 2012-09-25 |
公开(公告)号: | CN103828029A | 公开(公告)日: | 2014-05-28 |
发明(设计)人: | 田原慈;西村荣一;松本孝典 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社;株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/304;H01L21/3213;H01L21/76;H01L21/768;H01L27/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 堆积物 去除 方法 | ||
1.一种堆积物去除方法,其是将在利用蚀刻而形成于基板之上的图案的表面上堆积的堆积物去除的堆积物去除方法,其特征在于,
该堆积物去除方法包括以下工序:
第1处理工序,将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中;
氧等离子体处理工序,在上述第1处理工序之后,加热上述基板并使上述基板暴露在氧等离子体中;以及
第2处理工序,在上述氧等离子体处理工序之后,将上述基板暴露在含有氟化氢气体的气氛中。
2.根据权利要求1所述的堆积物去除方法,其特征在于,
上述堆积物含有硅氧化物和有机物。
3.根据权利要求2所述的堆积物去除方法,其特征在于,
上述堆积物中的有机物是由于在形成上述图案时的蚀刻处理中使用含有碳的气体而形成的。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的堆积物去除方法,其特征在于,
在上述第1处理工序和上述第2处理工序中的含有氟化氢气体的气氛是氟化氢气体和醇类气体的混合气体的气氛。
5.根据权利要求4所述的堆积物去除方法,其特征在于,
上述第1处理工序和上述第2处理工序中的至少一个处理工序在处理室内实施,通过多循环反复第1期间和第2期间的循环处理来进行,在该第1期间内,使上述醇类气体的分压为第1分压,在该第2期间内,对处理室内进行排气而使上述醇类气体的分压为比第1分压低的第2分压。
6.根据权利要求5所述的堆积物去除方法,其特征在于,
上述第1分压是能够在上述混合气体的作用下去除上述堆积物的分压。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的堆积物去除方法,其特征在于,
在上述第1处理工序之前,进行基于氧等离子体的预处理工序,在该预处理工序中,加热上述基板并将上述基板暴露在氧等离子体中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的堆积物去除方法,其特征在于,
上述图案含有作为构造物的二氧化硅。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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