[发明专利]薄膜形成方法、薄膜形成装置、形成有覆膜的被处理物、模具以及工具有效
| 申请号： | 201280045431.9 | 申请日： | 2012-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN103814153A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 相泽龙彦;森田泰史;黑住修一 | 申请（专利权）人： | 学校法人芝浦工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C16/27 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在被处理物的所期望部位形成薄膜的薄膜形成方法。在本发明的薄膜形成方法中，在减压容器内，向含有目标薄膜成分的原料气体供电，使所述原料气体等离子化，将其提供到被处理物上从而在被处理物上形成薄膜。为了在所期望的部位形成薄膜，利用了磁场产生机构所产生的磁场的作用。在磁场的作用下，使所述等离子体形成的等离子流向着所述被处理物表面的所期望部位汇聚，从而能够在所期望的部位形成薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 装置 有覆膜 处理 模具 以及 工具 | ||
【主权项】：
一种薄膜形成方法，其中，在减压容器内，对含有目标薄膜成分的原料气体供电，使所述原料气体等离子化，将其引导到被处理物上从而在被处理物上形成薄膜，其特征在于，包括由磁场产生机构产生的磁场对等离子体进行控制而使所述等离子体形成的等离子流向着所述被处理物表面的所期望部位汇聚的工序。
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