[发明专利]薄膜形成方法、薄膜形成装置、形成有覆膜的被处理物、模具以及工具

权利要求书

1.一种薄膜形成方法，其中，在减压容器内，对含有目标薄膜成分的原料气体供电，使所述原料气体等离子化，将其引导到被处理物上从而在被处理物上形成薄膜，其特征在于，

包括由磁场产生机构产生的磁场对等离子体进行控制而使所述等离子体形成的等离子流向着所述被处理物表面的所期望部位汇聚的工序。

2.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁场产生机构包括磁铁与电磁铁的至少其中之一。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁场产生机构配置在所述被处理物的所述原料气体流入一侧与所述被处理物的所期望部位的背面侧这两侧中的至少一侧。

4.根据权利要求3所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁场产生机构配置在所述原料气体流入一侧的空间中，并且对着所述被处理物。

5.根据权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁场产生机构是至少一部分被磁化的所述被处理物。

6.根据权利要求5所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁场产生机构包括磁铁与电磁铁的至少其中之一、以及、至少一部分被磁化的所述被处理物。

7.根据权利要求6所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁铁或所述电磁铁配置在所述被处理物的所述原料气体流入一侧与所述被处理物的所期望部位的背面侧这两侧中的至少一侧。

8.根据权利要求6或7所述的薄膜形成方法，其特征在于，所述磁铁或所述电磁铁配置在所述原料气体流入一侧的空间中，并且对着所述被处理物。

9.一种薄膜形成装置，其特征在于，

包括：

减压容器，其具有排气系统；

原料气体供给机构，其用于向所述减压容器内导入含有目标薄膜成分的原料气体；

等离子体产生机构，其用于使所述原料气体供给机构所导入的原料气体产生等离子体；

磁场产生机构，其产生磁场，对所述等离子体形成的等离子流进行控制，使该等离子流向着所述被处理物表面的所期望部位汇聚。

10.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁场产生机构包括磁铁与电磁铁的至少其中之一。

11.根据权利要求9或10所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁场产生机构配置在所述被处理物的所述原料气体流入一侧与所述被处理物的所期望部位的背面侧这两侧中的至少一侧。

12.根据权利要求11所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁场产生机构配置在所述原料气体流入一侧的空间中，并且对着所述被处理物。

13.根据权利要求9所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁场产生机构是至少一部分被磁化的所述被处理物。

14.根据权利要求12所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁场产生机构包括磁铁与电磁铁的至少其中之一、以及、至少一部分被磁化的所述被处理物。

15.根据权利要求14所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁铁或所述电磁铁配置在所述被处理物的所述原料气体流入一侧与所述被处理物的所期望部位的背面侧这两侧中的至少一侧。

16.根据权利要求14或15所述的薄膜形成装置，其特征在于，所述磁铁或所述电磁铁配置在所述原料气体流入一侧的空间中，并且对着所述被处理物。

17.一种被处理物，其特征在于，具有由权利要求1～8中任一项所述的薄膜形成方法所形成的薄膜。

18.根据权利要求17所述的被处理物，其特征在于，所述被处理物为模具或工具。