[发明专利]光伏器件在审
| 申请号： | 201280044219.0 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103797162A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 黄强;B·C·贝克-奥尼尔 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/50;C25D5/12;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 贺月娇;于静 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了性能改善的诸如太阳能电池的光伏器件。该光伏器件包括含铜层，该含铜层中包含的杂质量足以阻碍铜扩散进入下伏的半导体衬底中。所述含铜层位于形成在半导体衬底的正侧表面上的格子图形中，包括位于至少一个金属扩散阻挡层顶上的具有200ppm或更高的杂质水平的电镀含铜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 | ||
【主权项】：
一种形成光伏器件的方法，包括：提供包括p‑n结的半导体衬底，所述半导体衬底具有一个在另一个顶上的p型半导体部分和n型半导体部分，其中所述半导体部分中的一者的上部暴露表面代表所述半导体衬底的正侧表面；在所述半导体衬底的所述正侧表面上形成构图的抗反射涂层，以在所述正侧表面上提供格子图形，所述格子图形包括所述半导体衬底的所述正侧表面的暴露部分；在所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分上形成至少一个金属扩散阻挡层；以及在所述至少一个金属扩散阻挡层顶上电沉积具有200ppm或更高的杂质水平的含铜层。
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