[发明专利]光伏器件

权利要求书

1.一种形成光伏器件的方法，包括：

提供包括p-n结的半导体衬底，所述半导体衬底具有一个在另一个顶上的p型半导体部分和n型半导体部分，其中所述半导体部分中的一者的上部暴露表面代表所述半导体衬底的正侧表面；

在所述半导体衬底的所述正侧表面上形成构图的抗反射涂层，以在所述正侧表面上提供格子图形，所述格子图形包括所述半导体衬底的所述正侧表面的暴露部分；

在所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分上形成至少一个金属扩散阻挡层；以及

在所述至少一个金属扩散阻挡层顶上电沉积具有200ppm或更高的杂质水平的含铜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述至少一个金属扩散阻挡层的最底层是形成在所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分上的金属半导体合金层，其中所述形成所述金属半导体合金层包括提供金属层和退火。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，具有所述200ppm或更高的杂质水平的所述含铜层包含铜或铜合金以及至少一种杂质。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述至少一种杂质包含碳、氧、氯化物、硫或它们的任何组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述至少一种杂质包括碳、氧、氯化物和硫的组合。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述碳杂质以60ppm到10000ppm的量存在，所述氧杂质以10ppm到10000ppm的量存在，所述氯化物杂质以60ppm到10000ppm的量存在，并且所述硫杂质以10ppm到10000ppm的量存在。

7.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述电沉积所述含铜层还包括光照射。

8.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述电沉积所述含铜层包括提供镀敷浴，所述镀敷浴包含至少一种金属盐作为铜离子源，所述金属盐还包括选自碳、氧、氯化物和硫的至少一种杂质。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，其中，所述电沉积所述含铜层包括提供镀敷浴，所述镀敷浴包含至少一种金属盐作为铜离子源以及单独的杂质源，所述单独的杂质源包括选自碳、氧、氯化物和硫的至少一种杂质。

10.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述n型半导体部分覆盖在所述p型半导体部分上。

11.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，所述至少一个金属扩散阻挡层包含镍层，并且所述含铜层包含铜以及作为杂质的碳、氧、氯化物和硫的组合，并且其中，所述镍层与所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分直接接触。

12.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述至少一个金属扩散阻挡层包含钴层，并且所述含铜层包含铜以及作为杂质的碳、氧、氯化物和硫的组合，并且其中，所述钴层与所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分直接接触。

13.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述至少一个金属扩散阻挡层包含镍层，并且所述含铜层包含铜以及作为杂质的碳、氧、氯化物和硫的组合，并且其中，所述镍层通过硅化镍层至少部分地与所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分分隔开。

14.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述至少一个金属扩散阻挡层包含钴层，并且所述含铜层包含铜以及作为杂质的碳、氧、氯化物和硫的组合，并且其中，所述钴层通过硅化镍层至少部分地与所述半导体衬底的所述正侧表面的所述暴露部分分隔开。

15.根据任一前述权利要求所述的方法，其中，包含具有200ppm或更高的杂质水平的所述含铜层的所述光伏器件的寿命比包括具有低于200ppm的杂质水平的含铜层的等效光伏器件高25%到200%。