[发明专利]垂直栅极射频横向扩散金氧半场效晶体管(LDMOS)装置

摘要

本申请案描述一种晶体管，所述晶体管包括植入至基板的表面中的n型阱区及n型阱区中的沟槽。沟槽具有第一侧及相对的第二侧，且沟槽自表面延伸至第一深度。沟槽包括在沟槽中的导电材料栅极及电介质材料，所述电介质材料填充未被导电材料填充的沟槽的体积。晶体管也包括第一区中的p型材料，所述第一区在n型阱区中自第二深度延伸至第三深度，其中第二深度及第三深度中的每一深度大于第一深度。晶体管进一步包括源极区及漏极区。源极区处于沟槽的第一侧上，且所述源极区包括p型主体区、n+区及p+区，所述p型主体区自表面延伸至第一区，所述n+区及所述p+区植入于p型主体区中。漏极区处于沟槽的第二侧上，且所述漏极区包括n+区。

主权项

一种晶体管，所述晶体管包含：n型阱区，所述n型阱区植入至基板的表面中；所述n型阱区中的沟槽，所述沟槽具有第一侧及相对的第二侧，所述沟槽自所述表面延伸至第一深度，所述沟槽包含：所述沟槽中的导电材料栅极，及电介质材料，所述电介质材料填充未被所述导电材料填充的所述沟槽的体积；第一区中的p型材料，所述第一区在所述n型阱区中自第二深度延伸至第三深度，其中所述第二深度及所述第三深度中的每一深度大于所述第一深度；源极区，所述源极区处于所述沟槽的所述第一侧上，所述源极区包括p型主体区，其中n+区及p+区植入于所述p型主体区中；及漏极区，所述漏极区处于所述沟槽的所述第二侧上，所述漏极区包含n+区。