[发明专利]垂直栅极射频横向扩散金氧半场效晶体管(LDMOS)装置

权利要求书

1.一种晶体管，所述晶体管包含：

n型井区，所述n型井区植入至基板的表面中；

所述n型井区中的沟槽，所述沟槽具有第一侧及相对的第二侧，所述沟槽自所述表面延伸至第一深度，所述沟槽包含：

所述沟槽中的导电材料栅极，及

电介质材料，所述电介质材料填充未被所述导电材料填充的所述沟槽的体积；

第一区中的p型材料，所述第一区在所述n型井区中自第二深度延伸至第三深度，其中所述第二深度及所述第三深度中的每一深度大于所述第一深度；

源极区，所述源极区处于所述沟槽的所述第一侧上，所述源极区包括p型主体区，其中n+区及p+区植入于所述p型主体区中；及

漏极区，所述漏极区处于所述沟槽的所述第二侧上，所述漏极区包含n+区。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中所述栅极距所述沟槽的所述第一侧的距离小于所述栅极距所述沟槽的所述第二侧的距离。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中所述晶体管的击穿电压基本上介于范围10V至100V之间。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中所述导电材料为多晶硅。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中所述电介质材料为氧化物。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区处于所述沟槽下方，且所述第一区的宽度大于所述沟槽的宽度。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区及所述源极区界定通道，电流通过所述通道围绕所述沟槽自所述源极区流向所述漏极区。

8.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区中的所述p型材料的浓度低于所述p型主体区中的所述p型材料的浓度。

9.如权利要求8所述的晶体管，其中所述p型主体区包括深p型主体区及浅p型主体区，与所述深p型主体区相比，所述浅p型主体区距所述表面更近，且所述浅p型主体区具有更高浓度的所述p型材料。

10.如权利要求1所述的晶体管，其中所述p型主体区自所述表面延伸至所述第一区。

11.如权利要求1所述的晶体管，所述晶体管包含栅极电极，所述栅极电极与所述沟槽中的所述导电材料栅极电气接触。

12.如权利要求11所述的晶体管，所述晶体管包含硅化物层，所述硅化物层处于所述栅极电极与所述沟槽中的所述导电材料栅极之间。

13.如权利要求1所述的晶体管，其中所述p型主体的所述p+区处于所述p型主体的所述n+区下方。

14.如权利要求13所述的晶体管，所述晶体管包含第一源极电极及第二源极电极，所述第一源极电极与所述p+区接触，且所述第二源极电极与所述n+区接触。

15.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区中的所述p型材料为磊晶层的一部分。

16.如权利要求15所述的晶体管，所述晶体管包含n型材料层，所述n型材料层处于所述磊晶层与所述基板之间。

17.如权利要求1所述的晶体管，其中所述第一区中的所述p型材料为降低表面电场（RESURF）层的一部分。

18.如权利要求17所述的晶体管，所述晶体管包含n型材料层，所述n型材料层处于所述RESURF层与所述基板之间。