[发明专利]光电子半导体芯片有效
| 申请号： | 201280041909.0 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN103765612A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 伊瓦尔·通林;沃尔夫冈·施密德 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20;H01L33/38;H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在光电子半导体芯片（1）的至少一个实施形式中，所述光电子半导体芯片包括具有至少一个有源层（20）的半导体层序列（2）。此外，半导体芯片（1）具有在半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）和在与辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（4）。此外，半导体芯片（1）包含至少两个沟道（5），所述沟道（5）从辐射主侧（23）伸展至下侧（24）。在辐射主侧（23）的俯视图中看，上侧接触结构（3）和下侧接触结构（4）彼此间隔地布置。同样在辐射主侧（23）的俯视图中看，沟道（5）位于上侧接触结构（3）与下侧接触结构（4）之间。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体芯片（1），具有：‑半导体层序列（2），所述半导体层序列具有至少一个有源层（20）；‑在所述半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）；‑在所述半导体层序列（2）的与所述辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（1）；和‑至少两个沟道（5），所述沟道从所述辐射主侧（23）朝所述下侧（24）的方向伸展，其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述上侧接触结构（3）和所述下侧接触结构（4）在所述辐射主侧（23）的至少一个区域中彼此间隔，并且所述沟道（5）在所述区域中布置在所述上侧接触结构（3）与所述下侧接触结构（4）之间。
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