[发明专利]光电子半导体芯片

权利要求书

1.一种光电子半导体芯片（1），具有：

-半导体层序列（2），所述半导体层序列具有至少一个有源层（20）；

-在所述半导体层序列（2）的辐射主侧（23）上的上侧接触结构（3）；

-在所述半导体层序列（2）的与所述辐射主侧（23）对置的下侧（24）上的下侧接触结构（1）；和

-至少两个沟道（5），所述沟道从所述辐射主侧（23）朝所述下侧（24）的方向伸展，

其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述上侧接触结构（3）和所述下侧接触结构（4）在所述辐射主侧（23）的至少一个区域中彼此间隔，并且所述沟道（5）在所述区域中布置在所述上侧接触结构（3）与所述下侧接触结构（4）之间。

2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（1），其中所述上侧接触结构（3）具有：

-接触区域（37），以用于安置接合线（7）；

-至少一个中间连接部（31），所述中间连接部延伸远离所述接触区域（37）并且所述中间连接部并不设置用于将电流注入到所述半导体层序列（2）中；和

-多个接触指（33），所述接触指延伸远离所述中间连接部（31）并且所述接触指设置用于将电流注入到所述半导体层序列（2）中，

其中所述沟道（4）分别沿着所述中间连接部（31）延伸并且位于两个相邻的接触指（33）之间。

3.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片（1），其中所述沟道（5）从所述辐射主侧（23）起并不伸展至所述有源层（20）。

4.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中所述下侧接触结构（4）通过多个岛形部（40）形成，所述岛形部位于所述接触指（33）之间并且所述岛形部中相应的多个岛形部沿着所述接触指（33）布置。

5.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中所述沟道（5）中的至少一个位于所述中间连接部（31）与所述沟道中的至少一个另外的沟道（5a）之间，

其中所述另外的沟道（5a）从所述接触指（33）中的一个接触指延伸至与所述一个接触指相邻的接触指（33）。

6.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，对于所述沟道中的至少一个（5d）与所述相邻的接触指（33）之间的角度α适用的是：2°≤α≤30°。

7.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中所述沟道中的至少一个（5b）沿着所述接触指（33）中的一个延伸。

8.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述沟道（5b）中的至少一个位于所述下侧接触结构（4）之上。

9.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中所述沟道（5）穿通所述半导体层序列（2）的至少90%或者完全穿通所述半导体层序列。

10.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述上侧接触结构（3）和所述下侧接触结构（1）不交叠且不接触。

11.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述沟道（5）占据所述半导体层序列（2）的基面的比例在0.025%到5%之间，其中包括边界值。

12.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中，在所述辐射主侧（23）的俯视图中看，所述沟道（5）与至少一个所述中间连接部（31）之间的间距最高为8μm。

13.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中对于所述下侧接触结构（4）距所述中间连接部（31）的最小间距A而言并且对于所述下侧接触结构（4）的岛形部（40）之间的平均间距B而言适用的是：0.4≤A/B≤2.5。

14.根据上述权利要求中的任一项所述的光电子半导体芯片（1），其中至少所述辐射主侧（23）设有粗化部以用于改进从所述半导体层序列（2）出来的光耦合输出，其中所述粗化部延伸到所述沟道（5）中。

15.根据权利要求2、3、4、11和13所述的光电子半导体芯片（1），其中所述沟道（5）伸展到所述半导体层序列（2）的电流分布层中，其中所述电流分布层位于所述有源层（20）与所述辐射主侧（23）之间并且所述沟道（5）从所述辐射主侧（23）来看穿通所述电流分布层的至少65%。