[发明专利]III族氮化物半导体激光元件

摘要

本发明提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。成为激光谐振器的第1和第2割断面27、29与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光元件11具有在m-n面与半极性面17a的交叉线的方向上延伸的激光波导。割断面27、29与c面、m面或a面等的解理面不同。半导体区域19包含在波导向量LGV方向上延伸的第1～第3区域19b～19d。绝缘膜31的开口31a位于半导体区域19的第3区域19d的脊状构造上。在电极15中，焊垫电极18的第1～第3电极部18b～18d分别设置于半导体区域19的第1～第3区域19b～19d上。第1电极部18b具有到达割断面27边缘的臂部18b_ARM1。

主权项

一种III族氮化物半导体激光元件，具有：激光构造体，包含由六方晶类III族氮化物半导体构成的具有半极性主面的支撑基体、和设置于所述支撑基体的所述半极性主面上的半导体区域，并且具有用于该III族氮化物半导体激光元件的激光谐振器的第1端面和第2端面；绝缘膜，设置于所述激光构造体的所述半导体区域上；电极，设置于所述激光构造体的所述半导体区域和所述绝缘膜上；以及电介质多层膜，设置于所述第1端面和第2端面上，所述支撑基体的所述六方晶类III族氮化物半导体的c轴朝向从所述第1端面向所述第2端面的方向延伸的波导轴的方向而相对于所述半极性主面的法线轴以角度ALPHA倾斜，所述半导体区域包含在所述波导轴的方向上延伸的第1区域、第2区域以及第3区域，所述第3区域设置于所述第1区域与所述第2区域之间，所述半导体区域的所述第3区域包含：由第1导电型的氮化镓类半导体构成的第1包覆层；由第2导电型的氮化镓类半导体构成的第2包覆层；以及设置于所述第1包覆层与所述第2包覆层之间的活性层，所述绝缘膜在所述半导体区域的所述第3区域上具有开口，所述电极包含欧姆电极和焊垫电极，所述欧姆电极经由所述绝缘膜的所述开口与所述半导体区域的所述第3区域形成接触，所述焊垫电极包含分别设置于所述半导体区域的所述第1区域、第2区域以及第3区域上的第1电极部、第2电极部以及第3电极部，所述第1电极部具有第1臂部，所述第1臂部到达所述第1端面的边缘，并且所述第3电极部从所述第1端面的所述边缘分离。