[发明专利]III族氮化物半导体激光元件

说明书

技术领域

本发明涉及一种III族氮化物半导体激光元件。

背景技术

在专利文献1中记载有氮化物类半导体激光元件。专利文献1中的半导体激光元件，能够不增加制造步骤而容易地进行由劈开引起的元件不良的判定。该氮化物类半导体激光元件包含：形成于c面n型GaN基板上的氮化物类半导体各层；由解理面构成的光射出面；以及形成于氮化物类半导体层上的p侧焊垫电极。p侧焊垫电极包含以不覆盖成为光射出面30a的端部中的脊状部的方式形成的缺口部。另外，p侧焊垫电极从光射出面的边缘分离。

专利文献2中，记载有形成于基板的半极性面上的氮化物半导体激光元件。在该氮化物半导体激光元件中，用于光谐振器的端面并非由劈开而形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-28020号公报

专利文献2：日本专利4475357号公报

发明内容

发明所要解决的课题

根据发明人的见解，在焊垫电极的一边到达用于光谐振器的端面的边缘的III族氮化物半导体激光元件中，当在该端面上形成电介质多层膜时，有可能在焊垫电极的一边产生电介质的异常生长。在为避免该异常生长而使焊垫电极的该一边整体从用于光谐振器的端面的边缘分离的III氮化物半导体激光元件中，对于光学灾变损伤（Catastrophic Optical Damage：COD）的耐性提高。

根据发明人的研究，在光射出面附近产生的热量在激光动作时经由焊垫电极而扩散。但是，如已经说明，有可能在到达端面的焊垫电极的一边产生电介质的异常生长。而且，在专利文献2所记载的氮化物半导体激光元件中，由于用于光谐振器的端面不是通过劈开而形成，因此存在由该端面（也就是说，不是解理面的端面）而引起的异常生长的潜在原因。从该点而言，也想要抑制由焊垫电极的一边所引起的电介质异常生长，从而避免由其他原因而诱发异常生长。

本发明的目的在于，提供一种具有能够降低由COD引起的动作不良并且还能够减小散热能力下降的构造的III族氮化物半导体激光元件。

用于解决课题的技术方案本发明的III族氮化物半导体激光元件，具备：（a）激光构造体，包含由六方晶类III族氮化物半导体构成的具有半极性主面的支撑基体、和设置于所述支撑基体的所述半极性主面上的半导体区域，并且具有用于该III族氮化物半导体激光元件的激光谐振器的第1端面和第2端面；（b）绝缘膜，设置于所述激光构造体的所述半导体区域上；（c）电极，设置于所述激光构造体的所述半导体区域和所述绝缘膜上；以及（d）电介质多层膜，设置于所述第1端面和第2端面上。所述支撑基体的所述六方晶类III族氮化物半导体的c轴在从所述第1端面向所述第2端面的方向延伸的波导轴的方向上相对于所述半极性主面的法线轴以角度ALPHA倾斜，所述半导体区域包含在所述波导轴的方向上延伸的第1区域、第2区域以及第3区域，所述第3区域设置于所述第1区域与所述第2区域之间，所述半导体区域的所述第3区域包含：由第1导电型的氮化镓类半导体构成的第1包覆层；由第2导电型的氮化镓类半导体构成的第2包覆层；以及设置于所述第1包覆层与所述第2包覆层之间的活性层，所述绝缘膜在所述半导体区域的所述第3区域上具有开口，所述电极包含欧姆电极和焊垫电极，所述欧姆电极经由所述绝缘膜的所述开口与所述半导体区域的所述第3区域形成接触，所述焊垫电极包含分别设置于所述半导体区域的所述第1区域、第2区域以及第3区域上的第1电极部、第2电极部以及第3电极部，所述第1电极部分别具有第1臂部，所述第1臂部到达所述第1端面的边缘，并且所述第3电极部从所述第1端面的所述边缘分离。

根据该III族氮化物半导体激光元件，电极包含欧姆电极和焊垫电极。该欧姆电极经由绝缘膜的开口而与半导体区域的第3区域形成接触。另一方面，焊垫电极包含分别设置于半导体区域的第1区域、第2区域以及第3区域上的第1电极部、第2电极部以及第3电极部，第1电极部中的第1臂部到达该III族氮化物半导体激光元件中的第1端面的边缘。因此，在半导体区域中的与第3区域相邻的第1区域中，能够经由焊垫电极进行散热。另外，在半导体区域中进行激光的主要动作的第3区域到达第1端面，第3电极部从该第1端面的边缘分离。因此，在半导体区域的第3区域到达的端部上，降低由焊垫电极的端面引起的电介质异常生长的影响。

在本发明的III族氮化物半导体激光元件中，所述角度ALPHA能够处于45度以上80度以下、或者100度以上135度以下的范围。