[发明专利]IB及VIA族基多元半导体无效
| 申请号： | 201280041300.3 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN103959436A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | D·B·杰克雷;K·迪基;K·波罗克;J·伍德汝夫;P·斯通;G·布朗 | 申请（专利权）人： | 埃里斯资本可持续IP有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 开曼群岛(*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供用于形成多元成分半导体的方法及器件。在一个实施方案中，所提供的方法包括将前体材料沉积在衬底上，其中该前体材料可包括添加剂或可与其一起使用以使最终半导体层的背部部分中的IIIA族材料（例如Ga）的浓度最小化。该添加剂可为单质或合金形式的非铜的IB族添加剂。一些实施方案可能使用硒和硫，形成六元或更多元半导体合金。要强调的是提供此摘要以符合要求摘要的规则，该规则允许检索者或其他读者能迅速确定技术公开的主题。应理解本摘要将不用于解释或限制权利要求书的范围或意义。 | ||
| 搜索关键词： | ib via 基多 半导体 | ||
【主权项】：
一种光电器件，其包含：基本上由银（Ag）、铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）、硒（Se）和硫（S）组成的薄膜吸收剂层；其中该吸收剂层的特征在于小于约0.5的Ag/（Ag+Cu）比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
