[发明专利]IB及VIA族基多元半导体

权利要求书

1.一种光电器件，其包含：

基本上由银（Ag）、铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）、硒（Se）和硫（S）组成的薄膜吸收剂层；其中该吸收剂层的特征在于小于约0.5的Ag/（Ag+Cu）比。

2.根据权利要求书1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约10%的转化率。

3.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约11%的转化率。

4.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约12%的转化率。

5.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约13%的转化率。

6.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约14%的转化率。

7.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约15%的转化率。

8.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约16%的转化率。

9.根据权利要求1的器件，其中该器件在AM1.5G照度下展现至少约17%的转化率。

10.根据权利要求1的器件，其中该薄膜吸收剂层形成于基底上，其中在吸收剂层表面区域处的吸收剂层氧含量与包含Ag、Cu、In、Ga和Se的另一薄膜吸收剂层相比是减少的，该另一薄膜吸收剂层与包含Ag、Cu、In、Ga、Se和S的薄膜吸收剂层以基本上相同方式形成。

11.根据权利要求1的器件，其中该薄膜吸收剂层包括表面区域、主体区域及配置在该表面区域与该主体区域之间的过渡区域，其中在该过渡区域中的过渡区域Ag/（Ag+Cu）摩尔比高于该表面区域中的表面区域Ag/（Ag+Cu）比。

12.根据权利要求书11的器件，其中该表面区域的特征在于小于约300nm厚度、在约0至约0.3的范围内的Ga/（Ga+In）摩尔比、在约0.1至约0.7的范围内的S/（Se+S）摩尔比，及在约0至约0.4的范围内的Ag/（Ag+Cu）摩尔比。

13.根据权利要求书11的器件，其中该表面区域的特征在于小于约300nm的厚度、该表面区域中的在0至约0.3的范围内的表面区域Ga/（Ga+In）摩尔比。

14.根据权利要求书11的器件，其中该主体区域的特征在于约0.5或更小的平均主体区域Ga/（Ga+In）摩尔比。

15.根据权利要求书11的器件，其中该主体区域为至少400nm厚。

16.根据权利要求书11的器件，其中在该表面区域中的表面区域S/（S+Se）摩尔比大于在该表面区域中的表面区域Ag/（Ag+Cu）比。

17.根据权利要求书11的器件，其中该吸收剂层中的银量足够大以将镓带向该薄膜吸收剂层的表面。

18.根据权利要求1的器件，其中该硫改变在该吸收剂层表面区域中的带隙。

19.一种方法，包括：

由前体层形成薄膜吸收剂层，其中该吸收剂层基本上由银、铜、铟、镓、硒和硫组成，其中形成该吸收剂层包括抑制大量的硫纳入该吸收剂中，直到该前体层完全硒化后。

20.根据权利要求19的方法，其中形成该薄膜吸收剂层包括形成含有银、铜、铟和镓的初生吸收剂层；将该初生吸收剂层完全硒化，以形成含有银、铜、铟、镓和硒的硫属化物层；仅在该初生吸收剂层完全硒化后将大量的硫纳入该硫属化物层中。

21.一种方法，包括：

由前体层形成薄膜吸收剂层，其中该吸收剂层基本上由银、铜、铟、镓、硒和硫组成，其中形成该薄膜吸收剂层包括形成Ag-III合金前体层；将该前体层硒化；及在该前体层的硒化开始后纳入大量的硫。

22.根据权利要求21的方法，其中纳入的硫从前体层形成薄膜吸收剂层，其中该薄膜吸收剂层基本上由银、铜、铟、镓、硒和硫组成。