[发明专利]声学设备和制造方法无效

专利信息
申请号: 201280040355.2 申请日: 2012-08-14
公开(公告)号: CN103975608A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: T·K·威克斯特龙 申请(专利权)人: 美商楼氏电子有限公司
主分类号: H04R19/04 分类号: H04R19/04;H04R31/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 美国伊*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种麦克风组件包括底座、至少一个侧壁和盖。所述至少一个侧壁布置在所述底座上。所述盖耦接到所述至少一个侧壁。所述底座、侧壁和盖形成了腔,并且所述腔中布置有MEMS器件。顶部口延伸穿过所述盖,并且第一通道延伸穿过侧壁。第一通道被设置成与所述顶部口相连通。底部口延伸穿过所述底座。所述MEMS器件布置在所述底部口的上方。形成第二通道并且使之沿着所述底座的底面延伸。第二通道在第一通道和底部口之间延伸并与第一通道和底部口相连通。由顶部口接收的声能穿过第一通道、第二通道和底部口,并在所述MEMS器件处被接收。
搜索关键词: 声学 设备 制造 方法
【主权项】:
一种麦克风组件,该麦克风组件包括:底座;布置在所述底座上的至少一个侧壁;耦接到所述至少一个侧壁的盖,其中,所述底座、所述至少一个侧壁和所述盖形成了腔,所述腔中布置有MEMS器件;延伸穿过所述盖的顶部口;延伸穿过所述至少一个侧壁的第一通道,该第一通道被设置成与所述顶部口相连通;延伸穿过所述底座的底部口,其中,所述MEMS器件布置在该底部口的上方;所形成的沿着所述底座的底面延伸的第二通道,该第二通道在所述第一通道和所述底部口之间延伸并且与所述第一通道和所述底部口相连通;使得由所述顶部口接收的声能穿过所述第一通道、所述第二通道和所述底部口,并在所述MEMS器件处被接收。
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