[发明专利]切割片用基材膜及切割片有效
| 申请号： | 201280039183.7 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103733312A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 田矢直纪;上田公史;佐藤阳辅;伊藤雅春 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供切割片用基材膜2，作为不需电子线或γ线等的物理能量线而可减少在被切断物切割时所产生的切割屑的切割片用基材膜，其为具有树脂层(A)的切割片用基材膜2，该树脂层(A)包含作为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)，以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)，该树脂层(A)中的降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量%。还提供具有该切割片用基材膜2与配至于该基材膜的树脂层（A）侧的面上的压敏粘合剂层3的切割片1。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 基材 | ||
【主权项】：
切割片用基材膜，为具有树脂层(A)的切割片用基材膜，其特征在于，该树脂层(A)含有作为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)、以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2),所述树脂层(A)中的所述降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
