[发明专利]切割片用基材膜及切割片有效
| 申请号： | 201280039183.7 | 申请日： | 2012-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103733312A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 田矢直纪;上田公史;佐藤阳辅;伊藤雅春 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 基材 | ||
1.切割片用基材膜，为具有树脂层(A)的切割片用基材膜，其特征在于，该树脂层(A)含有作为以降冰片烯系化合物为至少一种单体的热塑性树脂的降冰片烯系树脂(a1)、以及该降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2),
所述树脂层(A)中的所述降冰片烯系树脂(a1)的含量超过3.0质量%。
2.如权利要求1所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)以外的烯烃系热塑性树脂(a2)包括至少一种非环式聚烯烃。
3.如权利要求2所述的切割片用基材膜，其中，所述非环式聚烯烃为乙烯系聚合物。
4.如权利要求1～权利要求3任一项所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)的密度为0.98g/cm3以上。
5.如权利要求1～权利要求4任一项所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)的流动化温度为225℃以下。
6.如权利要求1～权利要求5任一项所述的切割片用基材膜，其中，所述降冰片烯系树脂(a1)在23℃的拉伸模量为大于1.5GPa。
7.如权利要求1～权利要求6任一项所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层(A)含有超过3.0质量%、60.0质量%以下的所述降冰片烯系树脂(a1)。
8.如权利要求1～权利要求7任一项所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层(A)的内部雾度值为80%以下。
9.如权利要求1～权利要求8任一项所述的切割片用基材膜，其中，所述树脂层(A)的全光线透过率为75%以上。
10.如权利要求1～权利要求9任一项所述的切割片用基材膜，其具有配置于所述树脂层(A)的一个面的包括至少一层的树脂层(B)。
11.切割片，其特征在于：其具有如权利要求1～权利要求9任一项所述的基材膜与配置于该基材膜上的压敏粘合剂层。
12.切割片，其特征在于：其具有如权利要求10所述的基材膜与配置于该基材膜的所述树脂层(A)侧的面上的压敏粘合剂层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280039183.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：厨房混合水、净水二合一龙头
- 下一篇：一种电控阀的阀座
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
