[发明专利]太阳能电池以及用于制造太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及一种太阳能电池，其具有一个晶体硅内芯、至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层、以及在该至少一个硅内芯表面与该至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层之间的至少一个由硅或硅合金组成的钝化层。此外，本发明还涉及一种用于生产这类太阳能电池的方法。本发明的目的是，提供一种上述类型的太阳能电池，其特点在于增大的开路电压。另一个目的是提出一种用于生产此类太阳能电池的方法。这个目的一方面是通过上面所展现的类型的太阳能电池来实现的，其特点在于，该钝化层具有硅-单氢分子基团（Si-H）和二氢化硅分子基团（Si-H₂），其中在该钝化层的一个比较体积中，二氢化硅分子基团的数量（n_Si-H2）相对二氢化硅分子基团和一氢化硅分子基团（(n_Si-H)+(n_Si-H)）总数的比率（Q）大于0.4，本发明的目的还通过一种用于制造上面所述类型的太阳能电池的方法来实现，其特点在于，该钝化层是在等离子体放电方法的多个步骤中沉积的，使得所生产的钝化层具有硅-单氢分子基团（Si-H）和二氢化硅分子基团（Si-H₂）并且在比较体积中，二氢化硅分子基团的数量（n_Si-H2）相对二氢化硅分子基团和一氢化硅分子基团（(n_Si-H2)+(n_Si-H)）总数的比率（Q）大于0.4。

主权项

1.太阳能电池（1），其包括：晶体硅内芯（2），至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘），以及在所述硅内芯（2）的至少一个表面（21，22）与所述至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘）之间的至少一个由硅或硅合金组成的钝化层（4，4‘），其特征在于，该钝化层（4，4‘）具有硅-单氢分子基团（Si-H）和二氢化硅分子基团（Si-H₂），其中在所述钝化层（4，4‘）的比较体积中，二氢化硅分子基团的数量（n_Si-H2）相对二氢化硅分子基团（n_Si-H2）和一氢化硅分子基团（n_Si-H）总数的比率（Q）大于0.4(Q=nSi-H2nSi-H+nSi-H2>0.4).]]>