[发明专利]太阳能电池以及用于制造太阳能电池的方法有效
| 申请号： | 201280038601.0 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN103748692A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | B·斯特拉姆;D·拉什纳尔;C·盖琳;A·德库尔德斯;S·德沃尔夫;L·巴罗德 | 申请（专利权）人： | 德国罗特·劳股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 德国霍恩施泰*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 以及 用于 制造 方法 | ||
1.太阳能电池（1），其包括：
晶体硅内芯（2），
至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘），以及
在所述硅内芯（2）的至少一个表面（21，22）与所述至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘）之间的至少一个由硅或硅合金组成的钝化层（4，4‘），
其特征在于，该钝化层（4，4‘）具有硅-单氢分子基团（Si-H）和二氢化硅分子基团（Si-H2），其中在所述钝化层（4，4‘）的比较体积中，二氢化硅分子基团的数量（nSi-H2）相对二氢化硅分子基团（nSi-H2）和一氢化硅分子基团（nSi-H）总数的比率（Q）大于0.4
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘）和/或所述钝化层（4，4‘）具有处于Si-C键中的碳原子。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘）和/或所述钝化层（4，4‘）具有处于Si-O键中的氧原子。
4.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述n掺杂或p掺杂硅和/或硅合金层（3，3‘）和/或所述钝化层（4，4‘）是非晶的、原晶的、纳米晶的、或微晶的层。
5.根据以上权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述钝化层（4，4‘）是固有层或者至少部分掺杂的层。
6.用于生产太阳能电池（1）的方法，该太阳能电池包括：
晶体硅内芯（2），
至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘），以及
在所述硅内芯（2）的至少一个表面（21，22）与所述至少一个n掺杂或p掺杂硅层或硅合金层（3，3‘）之间的至少一个由硅或硅合金组成的钝化层（4，4‘），
其特征在于，在一种等离子体放电工艺的多个步骤中沉积所述钝化层（4，4‘），使得所述钝化层（4，4‘）具有硅-单氢分子基团（Si-H）和二氢化硅分子基团（Si-H2）并且在所述钝化层（4，4‘）的比较体积中二氢化硅分子基团的数量（nSi-H2）相对二氢化硅分子基团（nSi-H2）和一氢化硅分子基团（nSi-H）总数的比例（Q）大于0.4
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