[发明专利]用于将薄膜器件划分成单独的单元的方法及设备在审
| 申请号: | 201280035236.8 | 申请日: | 2012-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN103688358A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | A·N·布伦顿 | 申请(专利权)人: | 万佳雷射有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 归莹;张颖玲 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | 一种用于将具有第一下电极层、第二活性层和第三上电极层的薄膜器件划分成串联地电气性互连单独的单元的方法,所有的所述层在所述器件的范围内连续,所述单独的单元,至少所述单元的划分跨越所述装置在加工头的单个行程中被执行,所述加工头在所述单个行程中至少执行以下步骤:a)制成穿过所述第一层、所述第二层和所述第三层的第一切口;b)制造穿过所述第二层和所述第三层的第二切口,所述第二切口与所述第一切口相邻;c)制造穿过所述第三层的第三切口,所述第三切口与所述第二切口相邻并且位于所述第二切口到所述第一切口的对侧上;其中,所述第一切口和第二切口中的至少一个在所述加工头跨越所述装置的单个行程期间通过顺序地使用两个激光束来形成,所述第一激光束形成穿过所述层的至少一个的切口并且所述第二激光束形成穿过所述层的至少一个其它层的切口。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 薄膜 器件 分成 单独 单元 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种用于将具有第一层、第二层和第三层的薄膜器件划分成串联地电气性互连的单独的单元的方法,所述第一层为下电极层,所述第二层为活性层,所述第三层为上电极层,所有的所述层在所述器件的范围内连续,至少所述单元的划分通过加工头跨越所述器件的单个行程被执行,所述加工头在所述单个行程中至少执行以下步骤:a)制作穿过所述第一层、所述第二层和所述第三层的第一切口;b)制作穿过所述第二层和所述第三层的第二切口,所述第二切口与所述第一切口相邻;c)制作穿过所述第三层的第三切口,所述第三切口与所述第二切口相邻并且相对于所述第一切口位于所述第二切口的相反侧;其中,所述第一切口和所述第二切口中的至少一个切口通过在所述加工头跨越所述器件的单个行程期间顺序地使用两个激光束来形成,所述第一激光束形成穿过所述层中的至少一个的切口并且所述第二激光束形成穿过所述层中的至少另一个的切口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





