[发明专利]用于将薄膜器件划分成单独的单元的方法及设备在审
| 申请号: | 201280035236.8 | 申请日: | 2012-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN103688358A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
| 发明(设计)人: | A·N·布伦顿 | 申请(专利权)人: | 万佳雷射有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 归莹;张颖玲 |
| 地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 薄膜 器件 分成 单独 单元 方法 设备 | ||
1.一种用于将具有第一层、第二层和第三层的薄膜器件划分成串联地电气性互连的单独的单元的方法,所述第一层为下电极层,所述第二层为活性层,所述第三层为上电极层,所有的所述层在所述器件的范围内连续,至少所述单元的划分通过加工头跨越所述器件的单个行程被执行,所述加工头在所述单个行程中至少执行以下步骤:
a)制作穿过所述第一层、所述第二层和所述第三层的第一切口;
b)制作穿过所述第二层和所述第三层的第二切口,所述第二切口与所述第一切口相邻;
c)制作穿过所述第三层的第三切口,所述第三切口与所述第二切口相邻并且相对于所述第一切口位于所述第二切口的相反侧;
其中,所述第一切口和所述第二切口中的至少一个切口通过在所述加工头跨越所述器件的单个行程期间顺序地使用两个激光束来形成,所述第一激光束形成穿过所述层中的至少一个的切口并且所述第二激光束形成穿过所述层中的至少另一个的切口。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,相邻单元之间的电气连接也在所述单个行程期间被执行,所述加工头还在所述单个行程中执行以下步骤:
d)使用第一喷墨印刷头以将不导电材料沉积到所述第一切口中;以及
e)使用第二喷墨印刷头以应用导电材料来桥接所述第一切口中的不导电材料并且完全地或部分地填充所述第二切口,使得在所述第一层和所述第三层之间形成电气连接,
步骤(a)在步骤(d)之前,步骤(d)在步骤(e)之前,并且步骤(b)在步骤(e)之前,或者说所述各步骤可以通过所述加工头跨越所述器件的单个行程以任何顺序被执行。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述步骤在所述单个行程中执行的顺序由所述第一喷墨印刷头和所述第二喷墨印刷头和/或用于形成所述第一切口、所述第二切口和所述第三切口的部件在所述加工头上的相对位置来确定。
4.根据权利要求1、2或3所述的方法,其中,单个加工头被设置在所述器件的上方并且所述两个激光束从所述单个加工头提供并沿所述加工头在所述行程期间的运动的方向相互间隔开固定距离。
5.根据权利要求1、2或3所述的方法,其中,所述加工头包括所述器件上方的第一部分和所述器件下方的第二部分,所述第一激光束从所述第一部分提供并且所述第二激光束从所述第二部分提供,所述第一部分和所述第二部分被布置为相对于所述器件一体地移动,并且所述第一激光束和所述第二激光束沿所述加工头在所述行程期间的运动的方向相互间隔开固定距离。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法,其中,所述第一激光束形成穿过所述第二层和所述第三层的切口,并且所述第二激光束接着形成穿过所述第一层的切口。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的方法,其中,所述第一激光束和第二激光束通过一个或多个以下特征而相互不同:波长、脉冲长度、脉冲重复频率、光斑尺寸和能量密度。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一激光束和所述第二激光束来源于不同的激光源。
9.根据权利要求7所述的方法,其中,所述第一激光束和所述第二激光束来源于相同的激光源。
10.根据权利要求7、8或9所述的方法,其中,所述第一激光束和所述第二激光束具有相同的波长和脉冲重复频率。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法,其中,所述第一切口通过在所述加工头跨越所述器件的单个行程期间连续地使用三个激光束来形成,所述第一激光束形成穿过所述第三层的切口,所述第二激光束形成穿过所述第二层的切口并且所述第三激光束形成穿过所述第一层的切口。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述第一激光束、第二激光束和第三激光束的一个或多个特征都相互不同。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法,其中,所述加工头能够沿跨越所述薄膜器件的任一方向或两个方向在单个行程中执行所有的所述步骤。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法,其中,所述薄膜器件为太阳能板、照明板和电池中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





