[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201280031864.9 | 申请日： | 2012-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN103688352A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 藤野伸一;吉成英人;山下志郎 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件包括：半导体元件，其两个面上分别具有至少一个电极面；第一导体部件，其通过焊料与设置在半导体元件的一个面上的电极面接合；和第二导体部件，其通过焊料与设置在半导体元件的另一个面上的电极面接合，其中，设置在半导体元件的一个面上的电极面中的至少一个电极面为双梳齿状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体元件，其两个面上分别具有至少一个电极面；第一导体部件，其通过焊料与设置在所述半导体元件的一个面上的电极面接合；和第二导体部件，其通过焊料与设置在所述半导体元件的另一个面上的电极面接合，设置在所述半导体元件的一个面上的电极面中的至少一个电极面为双梳齿状。
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