[发明专利]半导体器件及半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体元件，其两个面上分别具有至少一个电极面；

第一导体部件，其通过焊料与设置在所述半导体元件的一个面上的电极面接合；和

第二导体部件，其通过焊料与设置在所述半导体元件的另一个面上的电极面接合，

设置在所述半导体元件的一个面上的电极面中的至少一个电极面为双梳齿状。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：

所述双梳齿状的电极面具有主焊料扩展电极面和从所述主焊料扩展电极面向两侧呈梳状地延伸的副焊料扩展电极面。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于：

在所述双梳齿状的电极面的周边配设有栅极配线，

所述栅极配线与所述双梳齿状的电极面相比焊料沾润性低，且由具有绝缘性的保护膜覆盖。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

所述第一导体部件和所述第二导体部件由铜材料构成，在所述第一导体部件和所述第二导体部件的与所述焊料接合的接合面上未实施表面加工。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括：

IGBT芯片及二极管芯片；

第一导体板，其通过焊料与在IGBT芯片的一个面上至少设置有一个的发射极面和设置在二极管芯片的一个面上的阳极面接合；和

第二导体板，其通过焊料与设置在IGBT芯片的另一个面上的集电极面和设置在二极管芯片的另一个面上的阴极面接合，

设置在所述IGBT芯片的一个面上的发射极面中的至少一个发射极面为双梳齿状，

所述双梳齿状的电极面具有主焊料扩展电极面和从所述主焊料扩展电极面向两侧呈梳状地延伸的副焊料扩展电极面，

在所述发射极面的周边配设有栅极配线，

所述栅极配线与所述发射极面相比焊料沾润性低，且由具有绝缘性的保护膜覆盖。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

构成逆变器电路的上下臂的上臂用IGBT芯片和上臂用二极管芯片以及下臂用IGBT芯片和下臂用二极管芯片；

第二交流电极引线框，其通过焊料与在所述上臂用IGBT芯片的一个面上至少设置有一个的发射极面和设置在上臂用二极管芯片的一个面上的阳极面接合；

直流正极电极引线框，其通过焊料与设置在所述上臂用IGBT芯片的另一个面上的集电极面和设置在上臂用二极管芯片的另一个面上的阴极面接合；

直流负极电极引线框，其通过焊料与在所述下臂用IGBT芯片的一个面上至少设置有一个的发射极面和设置在下臂用二极管芯片的一个面上的阳极面接合；和

第一交流电极引线框，其通过焊料与设置在所述下臂用IGBT芯片的另一个面上的集电极面和设置在下臂用二极管芯片的另一个面上的阴极面接合，

分别设置在所述上臂用IGBT芯片和所述下臂用IGBT芯片的一个面上的发射极面中的至少一个发射极面为双梳齿状，

所述双梳齿状的电极面具有主焊料扩展电极面和从所述主焊料扩展电极面向两侧呈梳状地延伸的副焊料扩展电极面，

在所述发射极面的周边配设有栅极配线，

所述栅极配线与所述发射极面相比焊料沾润性低，且由具有绝缘性的保护膜覆盖。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其特征在于：

在所述双梳齿状的电极面上实施了用于使焊料沾润性提高的镀镍。

8.一种制造权利要求2至4中任一项所述的半导体器件的方法，其特征在于，包括：

准备所述第一导体部件、所述第二导体部件和至少具有一个所述双梳齿状的电极面的半导体元件的工序；

通过焊料将设置在所述半导体元件的另一个面上的电极面与所述第二导体部件接合的工序；

在包含构成所述半导体元件的双梳齿状的电极面的所述主焊料扩展电极面的一部分的规定区域，或者所述第一导体部件的与所述规定区域相对的区域滴下熔融状态的焊料的工序；

通过使所述第一导体部件与设置在所述半导体元件的一个面上的电极面的距离接近，使所述熔融状态的焊料从所述主焊料扩展电极面扩展到副焊料扩展电极面，通过焊料将设置在所述半导体元件的一个面上的电极面与所述第一导体部件接合的工序；和

使用封装部件封装所述第一导体部件和所述第二导体部件的工序。