[发明专利]异质结光电池的处理方法

摘要

本发明公开了一种不存在硼原子或只含有微量硼原子的n型光电池的热处理方法，所述的方法包括以下的步骤提供一n型异质结（10），包括一中央晶体硅层（1），其上方和下方为由氢化非晶体硅沉积而成的两层（2，3）；加热电池至温度在20℃至200℃之间，例如用一个加热板（20）或一个烤箱（40），同时使用由照射光源（30）提供的一定的光通量的光照射光电池。因此，光电池的效能提高并稳定。

主权项

一种提高和稳定n型光伏电池效能的处理工艺，所述n型光伏电池含有硼原子，硼原子浓度为0至1×1016at/cm3之间，所述的处理工艺包括以下的步骤：—提供一个n型异质结光伏电池，包括一个中央晶体硅层，设置在中央晶体硅层上方和/下方的由掺杂或未掺杂的氢化非晶硅构成的钝化层；和—将电池加热至20℃至200℃之间，并加热的处理时间少于48h，同时为光电池提供的光通量高于或等于100W/m2。