[发明专利]具有低源极电阻的场效应晶体管器件

摘要

一种半导体器件，包括漂移层，具有第一导电类型；阱区域，在该漂移层中，具有与该第一导电类型相反的第二导电类型；以及源极区域，在该阱区域中。该源极区域具有该第一导电类型并且限定该阱区域中的沟道区域。该源极区域包括邻近该沟道区域的横向源极区域，以及从横向源极区域相反于该沟道区域而延伸开的多个源极接触区域。具有该第二导电类型的体接触区域位于该多个源极接触区域的至少两个之间并且与该阱区域接触。

主权项

一种半导体器件，包括：漂移层，具有第一导电类型；阱区域，在所述漂移层中，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；源极区域，在所述阱区域中，所述源极区域具有所述第一导电类型并且限定所述阱区域中的沟道区域，其中所述源极区域包括邻近所述沟道区域的横向源极区域以及相反于所述沟道区域从所述横向源极区域延伸离开的多个源极接触区域；体接触区域，具有所述第二导电类型，在所述多个源极接触区域的至少两个源极接触区域之间并且与所述阱区域接触，其中所述至少两个源极接触区域并不与所述体接触区域横向重叠；以及源极欧姆接触，在所述体接触区域和所述各源极接触区域的至少一个上，并且不在所述横向源极区域上，其中所述源极欧姆接触与源极接触范围中的所述至少一个源极接触区域重叠并且所述源极欧姆接触与体接触范围中的所述体接触区域重叠，并且其中所述体接触范围的最小尺寸p1与和所述体接触范围在相同平面上的所述阱区域的最小尺寸w1的比率大于0.2。