[发明专利]具有低源极电阻的场效应晶体管器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

漂移层，具有第一导电类型；

阱区域，在所述漂移层中，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

源极区域，在所述阱区域中，所述源极区域具有所述第一导电类型并且限定所述阱区域中的沟道区域，其中所述源极区域包括邻近所述沟道区域的横向源极区域以及相反于所述沟道区域从所述横向源极区域延伸离开的多个源极接触区域；

体接触区域，具有所述第二导电类型，在所述多个源极接触区域的至少两个源极接触区域之间并且与所述阱区域接触，其中所述至少两个源极接触区域并不与所述体接触区域横向重叠；以及

源极欧姆接触，在所述体接触区域和所述各源极接触区域的至少一个上，并且不在所述横向源极区域上，其中所述源极欧姆接触与源极接触范围中的所述至少一个源极接触区域重叠并且所述源极欧姆接触与体接触范围中的所述体接触区域重叠，并且其中所述体接触范围的最小尺寸p1与和所述体接触范围在相同平面上的所述阱区域的最小尺寸w1的比率大于0.2。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述体接触区域包括在各源极接触区域之间散布的多个体接触区域并且与所述源极欧姆接触相接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中通过所述横向源极区域将所述多个体接触区域与所述沟道区域间隔开。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极欧姆接触与源极接触区域范围中的至少一个源极接触区域重叠，并且所述源极欧姆接触与体接触区域范围中的所述体接触区域重叠；

其中所述源极接触区域范围的最小尺寸n1与所述阱区域的最小尺寸w1的比率大于0.2。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述源极接触区域范围的所述最小尺寸n1与所述阱区域的所述最小尺寸w1的比率为介于0.3与1之间。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述源极接触区域范围的所述最小尺寸n1与所述阱区域的所述最小尺寸w1的比率大于0.5。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述体接触区域范围的所述最小尺寸p1与所述阱区域的所述最小尺寸w1的比率大于0.3。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述体接触区域范围的所述最小尺寸p1与所述阱区域的所述最小尺寸w1的比率大于0.5。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述漂移层包括宽带隙半导体材料。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述漂移层包括碳化硅。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述漂移层包括具有2H、4H或6H多型的碳化硅。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述漂移层包括具有3C或15R多型的碳化硅。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述源极区域具有源极电阻，并且所述源极欧姆接触具有接触电阻，其中所述接触电阻与所述源极电阻的比率大于1。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述器件具有超过1000伏特的反向阻断电压，以及大于700安培每平方厘米的电流密度。

15.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括场效应晶体管。

16.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件包括绝缘栅双极晶体管。

17.根据权利要求1所述的半导体器件，其中由所述源极欧姆接触与所述至少一个源极接触区域之间相重叠的范围限定所述半导体器件的源极接触范围的最小尺寸。

18.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件具有超过1000伏特的反向阻断电压，并且具有在大于100安培的电流处的大于200安培每平方厘米的电流密度。

19.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件具有1000伏特或更大的反向阻断电压，并且具有在5伏特或更小的正向电压处的大于100安培的正向电流能力。