[发明专利]多晶硅射极太阳电池用的图案化掺杂

摘要

本发明揭示了一种制造多晶硅太阳能电池的改善的方法。为了形成具有p型区和n型区的多晶硅层，所述层在存在一种类型的掺杂物的情况下生长。在形成已掺杂的多晶硅层之后，选择性地将具有相反掺杂物导电性的离子植入所述多晶硅层的部分中。此选择性植入可使用荫罩幕来执行。

主权项

一种生产太阳能电池的方法，使用具有第一表面和第二表面的基板，所述生产太阳能电池的方法包含：在所述基板的所述第二表面上形成穿隧氧化层；在所述穿隧氧化层上形成内部含有第一掺杂物的多晶硅层，所述多晶硅层具有第一导电性类型；在所述多晶硅层与离子束之间引入罩幕，从而为所述多晶硅层的区域阻挡所述离子束；将第二掺杂物的离子植入所述多晶硅层的所述区域中，所述第二掺杂物具有与所述第一导电性相反的第二导电性，所述第二掺杂物的离子的量足以使被植入的所述区域的导电性改变成所述第二导电性，从而形成具有所述第一导电性的第一被植入区以及具有与所述第一被植入区的导电性相反的导电性的第二被植入区。