[发明专利]多晶硅射极太阳电池用的图案化掺杂

权利要求书

1.一种生产太阳能电池的方法，使用具有第一表面和第二表面的基板，所述生产太阳能电池的方法包含：

在所述基板的所述第二表面上形成穿隧氧化层；

在所述穿隧氧化层上形成内部含有第一掺杂物的多晶硅层，所述多晶硅层具有第一导电性类型；

在所述多晶硅层与离子束之间引入罩幕，从而为所述多晶硅层的区域阻挡所述离子束；

将第二掺杂物的离子植入所述多晶硅层的所述区域中，所述第二掺杂物具有与所述第一导电性相反的第二导电性，所述第二掺杂物的离子的量足以使被植入的所述区域的导电性改变成所述第二导电性，从而形成具有所述第一导电性的第一被植入区以及具有与所述第一被植入区的导电性相反的导电性的第二被植入区。

2.根据权利要求1所述的生产太阳能电池的方法，其中通过包含硅烷的气体和掺杂物气体的沉积来形成所述多晶硅层，所述掺杂物气体选自由乙硼烷、磷化氢和砷化氢组成的群组。

3.根据权利要求2所述的生产太阳能电池的方法，其中所述掺杂物气体包含乙硼烷，且所述第二掺杂物包含第五族元素。

4.根据权利要求2所述的生产太阳能电池的方法，其中所述掺杂物气体包含磷化氢或砷化氢，且所述第二掺杂物包含第三族元素。

5.根据权利要求1所述的生产太阳能电池的方法，进一步包含在植入之后对所述基板进行热处理，其中所述热处理是在500℃与600℃之间的温度下执行。

6.根据权利要求1所述的生产太阳能电池的方法，进一步包含在所述第一被植入区与所述第二被植入区之间形成沟槽，从而阻止所述第一被植入区和所述第二被植入区中的每一个发生接触。

7.一种生产太阳能电池的方法，使用具有第一表面和第二表面的基板，所述生产太阳能电池的方法包含：

在所述基板的所述第二表面上形成穿隧氧化层；

在所述穿隧氧化层上形成多晶硅层；

将具有第一导电性的第一掺杂物的离子植入所述多晶硅层中；

在所述多晶硅层与离子束之间引入罩幕，从而为所述多晶硅层的区域阻挡所述离子束；

将第二掺杂物的离子植入所述多晶硅层的所述区域中，所述第二掺杂物具有与所述第一导电性相反的第二导电性，所述第二掺杂物的离子的量足以使所述被植入的所述区域的导电性改变成所述第二导电性，从而形成具有所述第一导电性的第一被植入区以及具有与所述第一被植入区的导电性相反的导电性的第二被植入区。

8.根据权利要求7所述的生产太阳能电池的方法，其中进一步包含在所述第一被植入区与所述第二被植入区之间形成沟槽，从而阻止所述第一被植入区和所述第二被植入区中的每一个发生接触。

9.一种生产太阳能电池的方法，使用具有第一表面和第二表面的基板，所述生产太阳能电池的方法包含：

在所述基板的所述第二表面上形成穿隧氧化层；

在所述穿隧氧化层上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层与离子束之间引入第一罩幕，从而为所述多晶硅层的区域阻挡所述离子束；

将具有第一导电性的第一掺杂物的离子植入所述多晶硅层中，从而形成第一被植入区；

在所述多晶硅层与所述离子束之间引入第二罩幕，从而为所述多晶硅层的区域阻挡所述离子束；

植入第二掺杂物的离子，所述第二掺杂物具有与所述第一导电性相反的第二导电性，从而形成具有与所述第一被植入区的导电性相反的导电性的第二被植入区，其中所述第二罩幕对准于所述第一罩幕，以使所述第一被植入区与所述第二被植入区不发生接触。