[发明专利]藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复无效
| 申请号： | 201280027958.9 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103608898A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | K·S·伊姆;T·诺瓦克;B·谢;A·T·迪莫斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 藉由 紫外线 辅助 光化学 沉积 等离子体 损坏 介电常数 薄膜 恢复 | ||
【主权项】：
一种修复损坏的低k介电膜的方法，所述方法包含：将介电膜定位在处理腔室中；加热所述处理腔室；使含碳前驱物流入所述处理腔室；将所述含碳前驱物与所述介电膜暴露至紫外线（UV）辐射；分解所述含碳前驱物；以及将含碳化合物沉积至所述介电膜的孔隙中。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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