[发明专利]藉由紫外线辅助的光化学沉积而对等离子体损坏的低介电常数薄膜的介电恢复

权利要求书

1.一种修复损坏的低k介电膜的方法，所述方法包含：

将介电膜定位在处理腔室中；

加热所述处理腔室；

使含碳前驱物流入所述处理腔室；

将所述含碳前驱物与所述介电膜暴露至紫外线（UV）辐射；

分解所述含碳前驱物；以及

将含碳化合物沉积至所述介电膜的孔隙中。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含碳前驱物包含1,3-丁二烯与异戊二烯中的至少一个。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述UV辐射具有介于200nm至220nm之间的波长。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述UV辐射具有介于20nm至230nm之间的波长。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述分解所述含碳前驱物包含：用所述UV辐射分解所述含碳前驱物。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述处理腔室处于介于1托至100托之间的压力下，所述介电膜处于介于0℃至400℃之间的温度下，所述含碳前驱物以介于10sccm至5000sccm之间的流速流入所述处理腔室，并且所述介电膜受到处理达介于5秒至300秒之间的处理时间。

7.如权利要求1所述的方法，进一步包含：将含碳膜沉积至所述介电膜上。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述含碳膜被沉积至不超过的厚度。

9.如权利要求7所述的方法，进一步包含：从所述介电膜移除所述含碳膜。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述从所述介电膜移除所述含碳膜包含以下步骤中的至少一个：升华所述含碳膜；以及使所述含碳膜扩散进入所述介电膜。