[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置无效
| 申请号： | 201280026610.8 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103582937A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;原田望;中村広记;李翔;王新朋;陈智贤;阿席特·拉玛昌德拉·卡玛斯;拿伐布·星 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 新加坡新加坡市柏龄*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包括：第1步骤，形成平面状硅层，并于所述平面状硅层上形成第1柱状硅层与第2柱状硅层；第2步骤，于所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层的周围形成栅极绝缘膜，于所述栅极绝缘膜的周围使金属膜及多晶硅膜成膜，所述多晶硅膜的膜厚薄于所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层之间的间隔的一半，形成用于形成栅极配线的第3抗蚀剂，以形成所述栅极配线；以及第3步骤，堆积第4抗蚀剂，使所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层上部侧壁的所述多晶硅膜露出，藉由蚀刻来去除露出的所述多晶硅膜，剥离所述第4抗蚀剂，藉由蚀刻来去除所述金属膜，从而形成连接于所述栅极配线的第1栅极电极与第2栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第1步骤，于硅基板上形成平面状硅层，并于所述平面状硅层上形成第1柱状硅层与第2柱状硅层；第2步骤，于所述第1步骤之后，于所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层的周围形成栅极绝缘膜，于所述栅极绝缘膜的周围使金属膜及多晶硅膜成膜，所述多晶硅膜的膜厚薄于所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层之间的间隔的一半，形成用于形成栅极配线的第3抗蚀剂，藉由进行异向性蚀刻，从而形成所述栅极配线；以及第3步骤，于所述第2步骤之后，堆积第4抗蚀剂，使所述第1柱状硅层与所述第2柱状硅层上部侧壁的所述多晶硅膜露出，藉由蚀刻来去除露出的所述多晶硅膜，剥离所述第4抗蚀剂，藉由蚀刻来去除所述金属膜，从而形成连接于所述栅极配线的第1栅极电极与第2栅极电极。
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