[发明专利]用于电光器件的活性材料和电光器件有效
| 申请号: | 201280026430.X | 申请日: | 2012-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN103597601A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
| 发明(设计)人: | 杨阳;窦乐天;尤京璧 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 杨生平;钟锦舜 |
| 地址: | 美国加利福*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 公开了串联电光器件和用于电光器件的活性材料。串联器件包括活性层之间的p-型层和n-型层,其被掺杂以实现载体隧穿。还公开了低带隙共轭聚合物。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 电光 器件 活性 材料 | ||
【主权项】:
一种反向串联聚合物光伏器件,其包括:空穴抽取电极;与所述空穴抽取电极间隔开的电子抽取电极;第一本体异质结聚合物半导体层;与所述第一本体异质结聚合物半导体层间隔开的第二本体异质结聚合物半导体层;和在所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层之间,与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的一个物理连接的p‑型层和与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的另一个物理连接的n‑型层;其中所述p‑型层和所述n‑型层中的至少一个以电荷隧穿所述p‑型和/或n‑型层的程度掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





