[发明专利]用于电光器件的活性材料和电光器件

权利要求书

1.一种反向串联聚合物光伏器件，其包括：

空穴抽取电极；

与所述空穴抽取电极间隔开的电子抽取电极；

第一本体异质结聚合物半导体层；

与所述第一本体异质结聚合物半导体层间隔开的第二本体异质结聚合物半导体层；和

在所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层之间，与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的一个物理连接的p-型层和与所述第一和第二本体异质结聚合物半导体层中的另一个物理连接的n-型层；

其中所述p-型层和所述n-型层中的至少一个以电荷隧穿所述p-型和/或n-型层的程度掺杂。

2.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述电子抽取电极是透明的。

3.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层比所述n-型层更接近所述电子抽取电极。

4.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层与所述n-型层物理接触。

5.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层以空穴隧穿所掺杂的p-型层的程度掺杂。

6.如权利要求5所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层用聚(苯乙烯磺酸)、FeCl₃、I₂或H₂O₂掺杂。

7.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述n-型层以电子隧穿所述n-型层的程度掺杂。

8.如权利要求7所述的串联聚合物光伏器件，其中所述n-型层用低功函金属，Na、Li、Al，低功函氟化物，LiF、CsF，低功函盐或Cs₂CO₃掺杂

9.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层和所述n-型层都以载流子隧穿所掺杂的两个层的程度掺杂。

10.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述n-型层包括n型金属氧化物。

11.如权利要求8所述的串联聚合物光伏器件，其中所述n-型金属氧化物选自由ZnO、ZnOx、TiO2、TiOx及其组合组成的组。

12.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型包括p-型金属氧化物。

13.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p型金属氧化物选自由MoO₃、MoOx、V₂O₅、VOx、WO3、WOx、NiO、NiOx、氧化石墨烯及其组合组成的组。

14.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层是p型聚合物层。

15.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述p-型层是用聚(苯乙烯磺酸)掺杂的PEDOT。

16.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述n-型层是ZnO.

17.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其还包括在所述电子抽取电极和所述第一本体异质结聚合物半导体层或所述第二本体异质结聚合物半导体层之间的电子传输层

18.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其还包括在所述空穴抽取电极和所述第一本体异质结聚合物半导体层或所述第二本体异质结聚合物半导体层之间的空穴传输层。

19.如权利要求1所述的串联聚合物光伏器件，其中所述第一本体异质结聚合物半导体层比所述第二本体异质结聚合物半导体层更接近所述透明电极。

20.如权利要求19所述的串联聚合物光伏器件，其中所述第一本体异质结聚合物半导体层中所用的聚合物具有比所述第二本体异质结聚合物半导体层中所用的聚合物具有更宽的带隙。

21.如权利要求20所述的串联聚合物光伏器件，其中所述第一本体异质结聚合物半导体层中所用的聚合物具有约400nm和约700nm之间的吸光度最大值而所述第二本体异质结聚合物半导体层中所用的聚合物具有700nm和约1000nm之间的吸光度最大值。