[发明专利]晶体管和形成晶体管以具有减小的基极电阻的方法

摘要

公开了一种晶体管结构（100），具有完全硅化的外基极以用于降低基极电阻Rt。具体而言，金属硅化物层（120）覆盖外基极（108），包括外基极的延伸于T形发射极（150）的上部（152）下方的部分。用于确保金属硅化物层（120）覆盖外基极（108）的该部分的一种示例性技术要求使发射极（150）的上部（152）成楔形。该楔形允许发射极（150）的上部（152）下方的牺牲层在处理期间被完全去除，由此暴露下面的外基极（108）并且允许硅化所需的金属层（120）沉积在其上。该金属层（120）可以例如使用高压强溅射技术来沉积，以确保外基极（108）的所有暴露表面，甚至在发射极（150）的上部（152）下方的表面，都被覆盖。

主权项

一种晶体管，包括：内基极；在所述内基极上的发射极，所述发射极包括下部和在所述下部之上的上部；横向与所述下部相邻地定位的电介质间隔件；在所述内基极上方并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的外基极；以及在所述外基极上并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的硅化物层，所述上部比所述下部更宽并且横向延伸在所述电介质间隔件和所述硅化物层的一部分上方。