[发明专利]晶体管和形成晶体管以具有减小的基极电阻的方法

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

内基极；

在所述内基极上的发射极，所述发射极包括下部和在所述下部之上的上部；

横向与所述下部相邻地定位的电介质间隔件；

在所述内基极上方并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的外基极；以及

在所述外基极上并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的硅化物层，

所述上部比所述下部更宽并且横向延伸在所述电介质间隔件和所述硅化物层的一部分上方。

2.如权利要求1所述的晶体管，还包括：在所述硅化物层上并且横向与所述下部相对地直接邻近所述电介质间隔件定位的电介质层，所述电介质层还垂向定位在所述硅化物层的所述部分与所述上部之间。

3.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述内基极包括外延硅和外延硅锗中的任何一种。

4.一种晶体管，包括：

内基极；

在所述内基极上的发射极，所述发射极包括下部和在所述下部之上的上部；

横向与所述下部相邻地定位的电介质间隔件；

在所述内基极上方并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的外基极；以及

在所述外基极上并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的硅化物层，

所述上部比所述下部更宽，横向延伸于所述电介质间隔件和所述硅化物层的一部分上方，并且具有顶表面和楔形侧壁，所述楔形侧壁从所述顶表面朝向所述电介质间隔件逐渐变细，使得所述上部的宽度在所述顶表面与所述上部和所述下部之间的界面之间下降。

5.如权利要求4所述的晶体管，还包括：在所述硅化物层上并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的电介质层，所述电介质层还垂向定位在所述硅化物层的所述部分与所述上部的所述楔形侧壁之间。

6.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述楔形侧壁具有介于30和75度之间的锥角。

7.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述楔形侧壁具有大约45度的锥角。

8.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述楔形侧壁是线性的和弯曲的中的任何一种。

9.如权利要求4所述的晶体管，其中，所述内基极包括外延硅和外延硅锗中的任何一种。

10.一种异质结双极晶体管，包括：

包括外延硅锗的内基极；

在所述内基极上的发射极，所述发射极包括下部和在所述下部之上的上部；

横向与所述下部相邻地定位的电介质间隔件；

在所述内基极上方并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的外基极；以及

在所述外基极上方并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的硅化物层，

所述上部比所述下部更宽，横向延伸于所述电介质间隔件和所述硅化物层的一部分之上，并且具有顶表面和楔形侧壁，所述楔形侧壁从所述顶表面朝向所述电介质间隔件逐渐变细，使得所述上部的宽度在所述顶表面与所述上部和所述下部之间的界面之间下降。

11.如权利要求10所述的晶体管，还包括：在所述硅化物层上并且横向与所述下部相对地邻近所述电介质间隔件定位的电介质层，所述电介质层还垂向定位在所述硅化物层的所述部分与所述上部的所述楔形侧壁之间。

12.如权利要求10所述的晶体管，其中，所述楔形侧壁具有介于30和75度之间的锥角。

13.如权利要求10所述的晶体管，其中，所述楔形侧壁具有大约45度的锥角。

14.如权利要求10所述的晶体管，其中，所述楔形侧壁是线性的和弯曲的中的任何一种。