[发明专利]电感耦合等离子体(ICP)反应器的动态离子自由基筛与离子自由基孔有效
| 申请号: | 201280025684.X | 申请日: | 2012-04-25 |
| 公开(公告)号: | CN103650118A | 公开(公告)日: | 2014-03-19 |
| 发明(设计)人: | S·辛格;G·J·斯科特;A·库玛 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本文描述的实施例提供使用具有可移动式孔的离子蚀刻腔室来蚀刻基板的设备及方法。离子蚀刻腔室具有腔室主体,腔室主体包围处理区域、基板支撑件、等离子体源、离子-自由基屏蔽件及可移动式孔部件。基板支撑件布置于处理区域中且具有基板接收表面。等离子体源布置于面对基板接收表面的腔室主体的壁上。离子-自由基屏蔽件布置于等离子体源与基板接收表面间。可移动式孔部件介于离子-自由基屏蔽件与基板接收表面间。可移动式孔部件通过升举组件而致动,升举组件包含升举环及自升举环至孔部件的升举支撑件。离子-自由基屏蔽件通过经由孔部件而布置的屏蔽件支撑件而支撑。孔大小、形状及/或中心轴位置可藉使用插入件而改变。 | ||
| 搜索关键词: | 电感 耦合 等离子体 icp 反应器 动态 离子 自由基 | ||
【主权项】:
一种离子蚀刻腔室,包含:腔室主体,所述腔室主体包围处理区域;基板支撑件,所述基板支撑件布置于所述处理区域内且具有基板接收表面;等离子体源,所述等离子体源布置于面对所述基板接收表面的所述腔室主体的壁上;离子‑自由基屏蔽件,所述离子‑自由基屏蔽件布置于所述等离子体源与所述基板接收表面间;及可移动式孔部件,所述可移动式孔部件介于所述离子‑自由基屏蔽件与所述基板接收表面间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





