[发明专利]电感耦合等离子体（ICP）反应器的动态离子自由基筛与离子自由基孔

权利要求书

1.一种离子蚀刻腔室，包含：

腔室主体，所述腔室主体包围处理区域；

基板支撑件，所述基板支撑件布置于所述处理区域内且具有基板接收表面；

等离子体源，所述等离子体源布置于面对所述基板接收表面的所述腔室主体的壁上；

离子-自由基屏蔽件，所述离子-自由基屏蔽件布置于所述等离子体源与所述基板接收表面间；及

可移动式孔部件，所述可移动式孔部件介于所述离子-自由基屏蔽件与所述基板接收表面间。

2.如权利要求1所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，所述孔部件包含孔板材与边缘屏蔽件，所述边缘屏蔽件向所述基板接收表面延伸。

3.如权利要求1或2所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，所述孔部件耦接至线性致动器，所述线性致动器可用于改变所述孔部件与所述基板接收表面间的距离。

4.如权利要求1－3中的任一项所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，所述离子-自由基屏蔽件为数个屏蔽件支撑件所支撑，所述屏蔽件支撑件经由所述孔部件而布置。

5.如权利要求3或4所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，升举组件布置于所述孔部件与所述线性致动器之间。

6.如权利要求5所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，所述升举组件包含升举环及数个升举支撑件，所述孔部件倚靠于所述升举支撑件上。

7.如权利要求6所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，所述屏蔽件支撑件自屏蔽件支撑环而延伸，所述屏蔽件支撑环布置于所述孔部件与所述升举环之间。

8.如权利要求7所述的离子蚀刻腔室，其特征在于，所述升举支撑件经由所述屏蔽件支撑环而延伸。

9.一种用于半导体基板的等离子体处理的腔室，包含：

基板支撑件；

等离子体源，所述等离子体源在所述基板支撑件对面；

离子过滤器，所述离子过滤器布置于所述等离子体源与所述基板支撑件之间；

聚焦板材，所述聚焦板材布置于所述离子过滤器与所述基板支撑件之间，所述聚焦板材耦接至线性致动器，所述线性致动器可用于控制所述聚焦板材的高度(elevation)。

10.如权利要求9所述的腔室，其特征在于，所述聚焦板材包含中央孔及隔板，所述隔板自所述聚焦板材的边缘部向所述基板支撑件延伸。

11.如权利要求10所述的腔室，其特征在于，所述中央孔具有较所述基板支撑件的基板接收表面更大的面积。

12.如权利要求11所述的腔室，其特征在于，所述聚焦板材通过支撑环与自所述支撑环延伸的数个支撑件耦接至所述线性致动器。

13.如权利要求12所述的腔室，其特征在于，所述致动器具有行程长度，所述行程长度足以将所述聚焦板材自最接近所述离子过滤器的第一位置移至最接近所述基板支撑件的第二位置，其中当所述聚焦板材在所述第二位置时，所述隔板延伸过所述基板接收表面。

14.一种等离子体蚀刻设备，包含：

腔室；

等离子体源，所述等离子体源布置于所述腔室的一侧；

基板支撑件，所述基板支撑件布置在所述等离子体源对面，具有面对所述等离子体源的座台；

离子-自由基屏蔽件，所述离子-自由基屏蔽件布置于所述等离子体源与所述基板支撑件之间，所述离子-自由基屏蔽件具有在所述离子-自由基屏蔽件的与所述座台对齐的区域中形成的数个孔，其中形成孔的离子-自由基屏蔽件的区域具有比所述座台大的面积范围(areal extent)；以及

孔板材，所述孔板材布置于所述离子-自由基屏蔽件与所述基板支撑件之间，所述孔板材具有中央孔，所述中央孔与形成孔的所述离子-自由基屏蔽件的区域具有实质上相同尺寸，其中所述孔板材通过升举环及数个升举支撑件耦接至线性致动器，所述数个升举支撑件自所述升举环延伸且接触所述孔板材。

15.如权利要求14所述的等离子体蚀刻设备，其特征在于，所述孔板材包含圆盘以及形成于所述圆盘的周边部分的数个开口，所述圆盘具有至少约6英寸的外直径，所述中央孔具有长方形状及内壁，所述内壁依轮廓成形以支撑第二部件，所述第二部件与所述孔部件有实质平行关系，其中所述圆盘包含石英或陶瓷。