[发明专利]混杂双极性TFT

摘要

本发明尤其涉及包含具有n型和p型半导体材料的层的电子器件，优选为薄膜晶体管（TFT），其中p型层包含至少一种有机空穴传输材料。此外，本发明涉及根据本发明的电子器件在选自RFID和显示器、电子书和电子纸的背板的电子设备中的用途，以及包括根据本发明的电子器件的电子设备。

主权项

电子器件，其包括设置在基板（5）上的：（a）包含作为n型层或p型层的层（1）和作为n型层或p型层的层（2）的半导体主体，其中层（1）和（2）之一为n型层，另一个为p型层，其中所述p型层（（1）或（2））包含至少一种有机空穴传输材料（HTM）；和（b）第一电极（4）；和（c）插在所述半导体主体和所述第一电极之间的绝缘层A（6）；（d）与所述半导体主体接触的第二电极（3）和（e）与所述半导体主体接触但与所述第二电极分开的第三电极（7）；其特征在于（1）所述n型层包含无机n型半导体材料，所述至少一种有机空穴传输材料具有能量水平高于‑2,7eV的最低未占分子轨道（LUMO）；和/或（2）所述半导体主体还包含插在所述n型层和所述p型层之间的绝缘层B（8）。