[发明专利]混杂双极性TFT

权利要求书

1.电子器件，其包括设置在基板（5）上的：

（a）包含作为n型层或p型层的层（1）和作为n型层或p型层的层（2）的半导体主体，其中层（1）和（2）之一为n型层，另一个为p型层，其中所述p型层（（1）或（2））包含至少一种有机空穴传输材料（HTM）；和

（b）第一电极（4）；和

（c）插在所述半导体主体和所述第一电极之间的绝缘层A（6）；

（d）与所述半导体主体接触的第二电极（3）和

（e）与所述半导体主体接触但与所述第二电极分开的第三电极（7）；

其特征在于

（1）所述n型层包含无机n型半导体材料，所述至少一种有机空穴传输材料具有能量水平高于-2,7eV的最低未占分子轨道（LUMO）；和/或

（2）所述半导体主体还包含插在所述n型层和所述p型层之间的绝缘层B（8）。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其特征在于，有机p型层和/或有机n型层由溶液涂覆。

3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其特征在于，所述n型层包含无机n型半导体材料。

4.根据权利要求3所述的电子器件，其特征在于，所述无机n型半导体材料选自金属氧化物，IV族、III-V族、IV-VI族和II-VI族半导体。

5.根据权利要求3或4所述的电子器件，其特征在于，所述无机n型半导体材料为选自ZnO、In₂O₃、SnO₂、TiO₂、Ga₂O₃、MoO₃及其合金或混合物的金属氧化物。

6.根据权利要求3至5中一项或多项所述的电子器件，其特征在于，无机n型层通过在基板上涂覆金属氧化物的前体化合物并将前体加热用以在基板上得到金属氧化物膜来形成。

7.根据权利要求1至6中一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述n型层的厚度为1至200nm。

8.根据权利要求1至7中一项或多项所述的电子器件，其特征在于，有机p型材料包含选自胺、三芳基胺、噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚咔唑、酞菁、紫菜碱及其衍生物的基团。

9.根据权利要求1至8中一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘层B（8）包含介电常数为1.0至5.0的材料。

10.根据权利要求1至9中一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘层B（8）包含氟聚合物、全氟聚合物和/或金属氧化物。

11.根据权利要求10所述的电子器件，其特征在于，所述金属氧化物选自SiO_x、SiN_x、AlO_x、ZrO_x、HfO_x、TiO_x，其中x为1至4之间的整数。

12.根据权利要求1至11中一项或多项所述的电子器件，其特征在于，所述绝缘层B（8）的厚度为1nm至1μm。

13.制造根据权利要求1至12中一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于，有机p型材料由溶液涂覆以形成有机p型层。

14.制造根据权利要求1至12中一项或多项所述的电子器件的方法，其特征在于，无机n型层由溶液涂覆，所述方法包括给定顺序的以下步骤：

1）将溶液涂覆至基板，其中所述溶液包含n型无机半导体材料的前体化合物以形成前体层；

2）通过加热和/或通过施用UV光将前体层转化为无机n型层。

15.根据权利要求1至12中一项或多项所述的电子器件在选自RFID和显示器背板的电子设备中的用途。

16.包括根据权利要求1至12中一项或多项所述的电子器件的电子设备。