[发明专利]在光刻应用中细化辐射敏感材料线的方法有效
| 申请号： | 201280024743.1 | 申请日： | 2012-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN103547968A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·A·卡尔卡西;本杰明·M·拉特扎克;马克·H·萨默维尔 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/32;G03F7/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;穆云丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 描述了一种用于使用辐射敏感材料（102，202，302，402）对基板（101，201，301，401）进行图案化的方法和系统。该方法和系统包括：在基板（101，201，301，401）上形成辐射敏感材料层（102，202，302，402），将辐射敏感材料层（102，202，302，402）曝光于辐射（107，207，307，407）的图案，然后在曝光之后执行曝光后烘烤。然后，对所成像的辐射敏感材料层（102，202，302，402）进行显影以去除具有高辐射曝光的区域（105，205，312，412）或具有低辐射曝光的区域（106，206，313，413）从而形成辐射敏感材料线。然后，去除辐射敏感材料线内的曝光梯度，随后对辐射敏感材料线进行细化。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 应用 细化 辐射 敏感 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种图案化基板的方法，包括：在基板上形成辐射敏感材料层；将所述辐射敏感材料层曝光于辐射图案，其中，所述图案包括：第一区域，具有高辐射曝光，第二区域，具有低辐射曝光，以及第三区域，具有在从大约所述高辐射曝光到大约所述低辐射曝光的范围内的曝光梯度；在所述曝光之后执行曝光后烘烤；通过使得所述辐射敏感材料层与第一基于有机溶剂的合成物接触来执行正性显影以从所述基板去除所述第一区域，从而提供显影后的辐射敏感材料层；通过将所述第二区域和所述第三区域转换为具有基本上均匀水平的辐射曝光、极性或去保护或者其组合的第四区域而去除所述第三区域的所述曝光梯度；以及细化所述第四区域。
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