[发明专利]在光刻应用中细化辐射敏感材料线的方法

权利要求书

1.一种图案化基板的方法，包括：

在基板上形成辐射敏感材料层；

将所述辐射敏感材料层曝光于辐射图案，其中，所述图案包括：

第一区域，具有高辐射曝光，

第二区域，具有低辐射曝光，以及

第三区域，具有在从大约所述高辐射曝光到大约所述低辐射曝光的范围内的曝光梯度；

在所述曝光之后执行曝光后烘烤；

通过使得所述辐射敏感材料层与第一基于有机溶剂的合成物接触来执行正性显影以从所述基板去除所述第一区域，从而提供显影后的辐射敏感材料层；

通过将所述第二区域和所述第三区域转换为具有基本上均匀水平的辐射曝光、极性或去保护或者其组合的第四区域而去除所述第三区域的所述曝光梯度；以及

细化所述第四区域。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射敏感材料层包括：

亲水聚合物，其极性在执行以下时减小：

对所述辐射敏感材料层的所述曝光和所述曝光之后的所述曝光后烘烤，

对所述辐射敏感材料层的酸洗和酸洗后烘烤，

将所述辐射敏感材料层加热到等于或大于所述辐射敏感材料的热分解温度的温度，或者

上述两个或更多个的任意组合；或者

生酸剂，在执行以下时提供所述亲水聚合物与更疏水的聚合物的酸催化重整：

对所述辐射敏感材料层的所述曝光和所述曝光之后的所述曝光后烘烤；

对所述辐射敏感材料层的所述酸洗和所述酸洗后烘烤；

所述将所述辐射敏感材料层加热到等于或大于所述辐射敏感材料的所述热分解温度的所述温度，或者

上述两个或更多个的任意组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述去除所述曝光梯度包括：

对所述显影后的辐射敏感材料层执行整片曝光和整片曝光后烘烤；

对所述显影后的辐射敏感材料层执行酸洗和酸洗后烘烤；或者

将所述显影后的辐射敏感材料层加热到等于或大于所述辐射敏感材料的热分解温度的温度。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述细化所述第四区域包括：

以超冷温度使得所述第四区域与第二基于有机溶剂的合成物接触以去除所述第四区域的一部分，其中，所述超冷温度小于25℃并且大于所述第二基于有机溶剂的合成物的凝固点。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述细化所述第四区域包括：使得所述第四区域与第二基于有机溶剂的合成物接触以去除所述第四区域的一部分，其中，所述第二基于有机溶剂的合成物实现了从大约0.1纳米/秒到大约5纳米/秒的范围内的溶解速率。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述细化所述第四区域包括：使得所述第四区域与水基溶液接触以去除所述第四区域的一部分。

7.根据权利要求3所述的方法，其中，所述细化所述第四区域包括：使得所述第四区域与包括增进剂的水溶液接触以去除所述第四区域的一部分。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述增进剂是包括碱金属的盐。

9.根据权利要求3所述的方法，其中，所述细化所述第四区域包括：以从大约30℃到大约水基溶液的沸点的范围内的温度使得所述第四区域与所述水基溶液接触。

10.一种图案化基板的方法，包括：

在基板上形成辐射敏感材料层；

将所述辐射敏感材料层曝光于辐射图案，其中，所述图案包括：

第一区域，具有高辐射曝光，

第二区域，具有低辐射曝光，以及

第三区域，具有从大约所述高辐射曝光到大约所述低辐射曝光的范围内的曝光梯度；

在所述曝光之后执行曝光后烘烤；

对所述辐射敏感材料层执行负性显影以从所述基板去除所述第二区域，从而提供显影后的辐射敏感材料层；

通过将所述第三区域以及可选的所述第一区域转换为由所述第一区域和所述第三区域形成的第四区域而去除所述第三区域的所述曝光梯度，所述第四区域具有基本上均匀水平的辐射曝光、极性或去保护或者其组合；以及

细化所述第四区域。