[发明专利]半导体基板的制造方法及半导体基板有效
| 申请号： | 201280024373.1 | 申请日： | 2012-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN103548126A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦;市川磨;卜部友二;宫田典幸;前田辰郎;安田哲二 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；在化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。作为硒化合物可以举出硒氧化物。作为硒氧化物，可以举出H2SeO3。清洗液可以进一步包含从水、氨和乙醇构成的组中选择的一种以上的物质。当化合物半导体层的表面是由InxGa1-xAs(0≤x≤1)构成时，绝缘层最好是由Al2O3构成。Al2O3最好是由ALD法形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板的制造方法，包括：通过外延成长将化合物半导体层形成于基底基板上的步骤；由包含硒化合物的清洗液对所述化合物半导体层的表面进行清洗的步骤；以及在所述化合物半导体层的表面上形成绝缘层的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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