[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 201280024164.7 | 申请日： | 2012-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103563058A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 舛冈富士雄;中村広记 | 申请（专利权）人： | 新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于宝庆;刘春生 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件，其特征是具备有：形成于平面状硅层上的第1柱状硅层、形成于所述第1柱状硅层的周围的栅极绝缘膜、形成于所述栅极绝缘膜的周围的第1栅极电极、连接于所述第1栅极电极的栅极配线、形成于所述第1柱状硅层的上部的第1的第1导电型扩散层、形成于所述第1柱状硅层的下部与所述平面状硅层的上部的第2的第1导电型扩散层、由形成于所述第1柱状硅层的上部侧壁与形成于所述第1栅极电极上部的绝缘膜及多晶硅的积层构造所构成的第1侧壁、以及形成于所述第1的第1导电型扩散层上与所述第1侧壁上的第1接点；所述第1接点与所述第1侧壁的多晶硅连接，所述第1侧壁的多晶硅的导电型为第1导电型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，是具备有：形成于硅衬底上的平面状硅层；形成于所述平面状硅层上的第1柱状硅层；形成于所述第1柱状硅层的周围的栅极绝缘膜；形成于所述栅极绝缘膜的周围的第1栅极电极；连接于所述第1栅极电极的栅极配线；形成于所述第1柱状硅层的上部的第1的第1导电型扩散层；形成于所述第1柱状硅层的下部与所述平面状硅层的上部的第2的第1导电型扩散层；由形成于所述第1柱状硅层的上部侧壁与所述第1栅极电极上部的绝缘膜、及多晶硅的积层构造所构成的第1侧壁；以及形成于所述第1的第1导电型扩散层上与所述第1侧壁上的第1接点；所述第1接点与所述第1侧壁的多晶硅连接，所述第1侧壁的多晶硅的导电型为第1导电型。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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