[发明专利]用于半导体陶瓷材料的制造方法、半导体材料及半导体元件有效
| 申请号： | 201280023571.6 | 申请日： | 2012-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103688319B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·皮萨安;哈约托·卡兹;温妮·瓦塞尔;尤尔根·多恩赛弗尔 | 申请（专利权）人： | 于利希研究中心 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;C04B35/46 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 谢顺星,张晶 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于带正温度系数的非线性电阻的半导体陶瓷材料的制造方法。其中，将具有钙钛矿结构的施主掺杂的铁电材料和通常的表达式为AxByO3的前体物质在1200℃的还原气体中烧结。其中，烧结材料的平均尺寸在亚微米范围内。然后，在其晶界将该烧结材料在600℃下再氧化。该前体物质的晶粒的平均主要晶粒尺寸在亚微米范围内，优选地，平均主要晶粒尺寸是50nm，进一步优选地，最大至20nm，及再进一步优选地，最大10nm。同样，使用该方法生产的半导体陶瓷材料的平均晶粒尺寸在亚微米范围内，这样优选地，80%的晶粒小于800nm，进一步优选地，小于300nm，再进一步优选地小于200nm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 陶瓷材料 制造 方法 半导体材料 元件 | ||
【主权项】：
一种用于带有正温度系数的非线性电阻的半导体陶瓷材料的制造方法，其中，a)将表达式通常为AxByO3、平均晶粒尺寸最大为50nm、具有钙钛矿结构的施主掺杂的铁电材料的前体物质在最高温度为1200℃下的还原气体环境中烧结，其中，烧结的材料具有亚微米范围内的平均尺寸，以及b)将该烧结材料在最高600℃的温度下在其晶界处再氧化。
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