[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201280022650.5 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103518266A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 宇田川隆 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;C30B29/38;H01L21/203;H01L21/205;H01L33/08 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其具备：第1半导体层、发光层和第2半导体层层叠而成的叠层半导体层，所述第1半导体层显示第1导电类型，所述第2半导体层具有显示与第1导电类型相反的导电性的第2导电类型；与第1半导体层连接的第1电极；和设置在第2半导体层的表面的第2电极，所述发光层具有包含下述层的结构单元：第1氮化镓铟层，其被配置在与来自发光的取出方向相反的一侧，具有第1铟组成；第2氮化镓铟层，其被配置在相比于第1氮化镓铟层靠发光的取出方向的一侧，具有组成比第1铟组成小的第2铟组成；和中间层，其被设置在第1氮化镓铟层和第2氮化镓铟层之间，包含晶格常数比构成第1氮化镓铟层和第2氮化镓铟层的材料小的材料。由此，解决了在半导体发光元件中，即使要得到与铟组成的大小对应的峰波长不同多种光，也得不到具有不同峰波长的发光的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：第1半导体层、发光层和第2半导体层层叠而成的叠层半导体层，所述第1半导体层具有第1导电类型，所述第2半导体层具有显示与该第1导电类型相反的导电性的第2导电类型；与所述第1半导体层连接的第1电极；和设置在所述第2半导体层的表面的第2电极，所述叠层半导体层的所述发光层具有包含下述层的结构单元：第1氮化镓铟层，其被配置在与来自该发光层的发光的取出方向相反的一侧，具有第1铟组成；第2氮化镓铟层，其被配置在相比于所述第1氮化镓铟层靠所述发光的取出方向的一侧，具有组成比所述第1铟组成小的第2铟组成；和中间层，其被设置在所述第1氮化镓铟层和所述第2氮化镓铟层之间，包含晶格常数比构成该第1氮化镓铟层和该第2氮化镓铟层的材料小的材料。
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