[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件

权利要求书

1.一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：

第1半导体层、发光层和第2半导体层层叠而成的叠层半导体层，所述第1半导体层具有第1导电类型，所述第2半导体层具有显示与该第1导电类型相反的导电性的第2导电类型；

与所述第1半导体层连接的第1电极；和

设置在所述第2半导体层的表面的第2电极，

所述叠层半导体层的所述发光层具有包含下述层的结构单元：

第1氮化镓铟层，其被配置在与来自该发光层的发光的取出方向相反的一侧，具有第1铟组成；

第2氮化镓铟层，其被配置在相比于所述第1氮化镓铟层靠所述发光的取出方向的一侧，具有组成比所述第1铟组成小的第2铟组成；和

中间层，其被设置在所述第1氮化镓铟层和所述第2氮化镓铟层之间，包含晶格常数比构成该第1氮化镓铟层和该第2氮化镓铟层的材料小的材料。

2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光层中的包含具有所述第1铟组成之中最大的铟组成的所述第1氮化镓铟层的所述结构单元，朝向该发光层的所述发光的取出方向配置在最下层。

3.根据权利要求1或2所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述发光层中的包含具有所述第2铟组成之中最小的铟组成的所述第2氮化镓铟层的所述结构单元，朝向该发光层的所述发光的取出方向配置在最上层。

4.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述结构单元中的所述中间层，该中间层的厚度与构成该结构单元的所述第1氮化镓铟层的所述第1铟组成X₁和所述第2氮化镓铟层的所述第2铟组成X₂的浓度差ΔIn相应地增大。

5.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述结构单元中的所述中间层，由Ⅲ族-Ⅴ族化合物半导体构成。

6.根据权利要求5所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述Ⅲ族-Ⅴ族化合物半导体为氮化铝镓。

7.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述结构单元中的所述中间层，含有包含原子半径比Ⅲ族元素或Ⅴ族元素小的元素的施主杂质。

8.根据权利要求7所述的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，所述中间层，所述施主杂质的浓度与该中间层的厚度相应地增大。