[发明专利]用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管的分析处理电路

摘要

本发明涉及一种用于具有可移动的栅极结构的场效应晶体管（11）的分析处理电路（1），所述分析处理电路具有测量电路（12），所述测量电路耦合在所述分析处理电路（1）的供电电压端子（VDD）和所述场效应晶体管（11）的漏极端子之间，并且所述测量电路被设计用于在测量端子（Iout）处输出测量信号，所述测量信号与流过所述场效应晶体管（11）的电流的电流强度有关。

主权项

具有可移动的栅极结构的场效应晶体管（11）用的分析处理电路（1；10；40），具有：测量电路（12），所述测量电路耦合在所述分析处理电路（1；10；40）的供电电压端子（VDD）和所述场效应晶体管（11）的漏极端子之间，并且所述测量电路被设计用于在测量端子（Sout）处输出测量信号（Iout；Vout），所述测量信号与流过所述场效应晶体管（11）的电流的电流强度有关，其中所述测量电路（12）包括由第一晶体管（12a）和第二晶体管（12b）组成的电流镜像电路，所述第一晶体管和第二晶体管分别经由其输入端子与所述供电电压端子（VDD）连接，其中所述第一晶体管（12a）的输出端子与所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子耦合，并且所述第二晶体管（12b）的输出端子与所述测量端子（Sout）耦合；偏移校正电路（42），所述偏移校正电路具有偏移信号馈入端子（Soff），所述偏移校正电路耦合在所述供电电压端子（VDD）和所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（43）之间，并且所述偏移校正电路被设计用于通过在所述偏移信号馈入端子（Soff）处馈入的偏移校正信号来补偿出现在所述场效应晶体管（11）的所述漏极端子（43）处的基本电流。